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金属硫化物纳米薄膜性能研究获进展

中国材料进展

金属硫化物纳米材料因其具有优异的光电特性而成为太阳能量转换、光电器件、催化等前沿领域的研究热点。通过对金属硫化物纳米结构的设计及其薄膜材料的可控合成和组装，可使其在太阳能利用和光电子集成器件等应用上发挥更大作用。

关键词: 金属硫化物 , 纳米材料 , 薄膜性能 , 太阳能利用 , 能量转换 , 光电特性 , 光电器件 , 可控合成

添加剂元素对AZO薄膜性能的研究进展

李春光 , 王飞 , 安涛 , 王东新

中国材料进展 doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2013.12.07

近年来，国内外一些研究者对添加剂元素与铝元素共掺杂的 ZnO 薄膜开展了许多研究并发现在 AZO薄膜掺入添加剂元素不仅会增强AZO薄膜的光电特性，而且还能优化其晶体结构和表面形貌，某些添加剂元素还可以提高AZO薄膜的多项性能和稳定性，这对研究 AZO 薄膜性能的提高提供了一个更具潜力的研究方向。介绍...

关键词: AZO薄膜 , 添加剂元素 , 光电性能 , 薄膜性能

PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响

周艺 , 欧衍聪 , 郭长春 , 肖斌 , 何文红 , 胡旭尧

材料科学与工程学报

采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响，且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅...

关键词: 双层SiNx , 减反膜 , 工艺参数 , 薄膜性能

应力对薄膜结构与性能影响的研究现状

冉春华 , 金义栋 , 祝闻 , 聂朝胤

材料导报

产生薄膜应力是在沉积薄膜过程中普遍存在的现象.薄膜应力的存在将影响薄膜的微观结构和性能,如薄膜的光学、力学等物理性能.同时影响到薄膜与基体材料的结合度以及基体材料的基本性能.主要总结了薄膜应力的产生机理、测试方法及其对薄膜结构和性能的影响,同时对薄膜应力的有效控制提出了展望.

关键词: 薄膜应力 , 薄膜结构 , 薄膜性能

等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

李新贝 , 张方辉 , 牟强

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2006.07.004

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.

关键词: 等离子增强型化学气相沉积 , 氮化硅 , 薄膜性能