曹春兰
,
廖克俊
,
罗建邦
,
韦逢艳
材料导报
分别对修饰的和未修饰的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜的湿敏特性进行了研究,发现修饰的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜对湿度十分敏感.测量其湿敏特性表明:其电阻值随相对湿度有明显的变化,并呈线性关系,通过拟合计算得到修饰的和未修饰的多壁碳纳米管电阻率相对湿度系数分别为2.354×10-2Ω·m/RH和1.534×10-2Ω·m/RH.研究结果表明,碳纳米管在湿度传感器领域将有巨大的应用前景.
关键词:
纳米管
,
湿敏特性
,
薄膜电阻
,
化学修饰
易万兵
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张文杰
,
吴瑾
,
邹世昌
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.020
用金属有机物化学气相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)制备了TiN薄膜,通过不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质.结果表明,多次循环会引入界面而增大电阻率,与薄膜成分和微结构分析的结果一致.得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低.通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中电学性能的比较,发现介窗(Via)直径越小,TiN薄膜对介窗电阻的影响越大.
关键词:
金属材料
,
TiN
,
MOCVD
,
等离子体处理
,
薄膜电阻
周健
,
夏冠群
,
刘文超
,
李冰寒
,
王嘉宽
,
郝幼申
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.02.020
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现5000C以下薄膜电阻几乎不变,600～6900C下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而6900C以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致.为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴.
关键词:
退火
,
热扩散
,
薄膜电阻
