周咏东
,
赵军
,
李言谨
,
方家熊
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.02.022
利用Ar+束溅射沉积技术在HgCdTe表面低温生长了CdTe介质薄膜.分别用CdTe介质膜和HgCdTe自身阳极氧化膜对HgCdTe表面钝化.利用光电导衰退信号波形的拟合,得到了不同表面钝化的HgCdTe非平衡载流子表面复合速度.结果表明,CdTe/HgCdTe界面质量已超过自身阳极氧化膜/HgCdTe界面质量.
关键词:
CdTe
,
Ar+
,
束溅射沉积
,
HgCdTe
,
光电导衰退
,
表面复合速度
周涛
,
陆晓东
,
吴元庆
,
李媛
硅酸盐通报
利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度(JsC)、开路电压(VOC)、填充因子(FF)及转换效率(Eff)的影响.结果表明:随着背表面复合速率的增大,对于不同发射区半宽度的情况,IBC太阳电池JSC、VOC、FF及Eff均显著降低.当背表面复合速率一定时,发射区半宽度越大,JSC、VOC越高,而FF越低.随着发射区半宽度的增大,IBC太阳电池Eff呈现先增大后减小的变化特点.当背表面复合速率较小(50～500 cm/s)时,最优的发射区半宽度为800 μm.当背表面复合速率较高(≥5000 cm/s)时,最优的发射区半宽度为1200 μm.
关键词:
背接触
,
太阳电池
,
发射区
,
半宽度
,
表面复合速度
