朱明星
,
石彪
,
陈义
,
刘学超
,
施尔畏
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11577
研究了生长温度为1400℃时4H-SiC同质外延膜的生长速率、表面形貌及缺陷.拉曼表征并结合KOH腐蚀表明外延膜中未出现3C-SiC多晶,为单一的4H-SiC晶型.通过KOH腐蚀发现,低生长速率和高C/Si比有利于衬底表面的基平面位错(BPDs)转变成露头刃位错(TEDs).在高生长速率下,外延膜的表面三角形缺陷和位错密度会显著增加.通过引入界面层,可以实现生长初期的平滑过渡,极大地降低高生长速率下外延膜的缺陷密度.
关键词:
碳化硅
,
同质外延
,
结晶缺陷
,
表面形貌缺陷
