李佳伟
,
朱世富
,
赵北君
,
何知宇
,
陈宝军
稀有金属
采用改进的布里奇曼法生长出尺寸为Φ15 mm×45 mm,外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体.为了提高器件的使用性能,需要对晶体进行表面处理,主要对CdGeAs2晶片表面的抛光技术进行了研究.通过对解理面切割分析得到(101)晶面,机械抛光后进行了XPS分析.对该晶面采用溴甲醇溶液进行腐蚀抛光,采用XRD回摆及光学显微镜对不同抛光时间的试样进行观测.结果表明,CGA晶体的(101)晶面在常温下采用溴甲醇溶液腐蚀50 s后,晶片表面光滑无划痕,并且具有半峰宽较小的回摆曲线,同时计算得到CdGeAs2晶体的表面损伤层厚度.
关键词:
非线性材料
,
CdGeAs2
,
XPS
,
XRD回摆曲线
,
表面损伤层
查钢强
,
介万奇
,
李强
,
刘永勤
功能材料
研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺.采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm.采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度.通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm.
关键词:
CdZnTe
,
机械抛光
,
X射线摇摆曲线
,
表面损伤层
郑红军
,
卜俊鹏
,
曹福年
,
白玉柯
,
吴让元
,
惠峰
,
何宏家
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.001
采用TEM观测与X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,分析了SI-GaAs晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度.比较两种方法测量结果上的差异,得出了TEM观测到的只是晶片损伤层厚度,而X射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤层及其形成应力区的总厚度的结论.
关键词:
砷化镓
,
切片
,
磨片
,
抛光片
,
表面损伤层
王浩亮
,
孙晓燕
,
介万奇
人工晶体学报
本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnxTe的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnxTe进行化学抛光,发现用3%的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,得到光亮、整洁表面.AFM分析发现,化学抛光后表面粗糙度降低19.8%,整体均匀性提高.SEM分析发现,化学抛光后表面损伤层被全部去除.77 K时,化学抛光前后的范德堡霍尔测量发现,晶片化学抛光后,电阻率增加.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
腐蚀速度
,
平均粗糙度
,
电阻率
王泽温
,
介万奇
,
李培森
,
谷智
,
刘长友
,
李强
,
查钢强
,
汪晓芹
稀有金属材料与工程
采用范德堡法在77 K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量.结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右.化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%.本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释.
关键词:
Hg1-xMnxTe
,
表面损伤层
,
电学参数
,
霍尔迁移率
彭晶
,
包生祥
,
马丽丽
材料导报
单晶表面加工损伤是衡量工艺水平以及单晶片质量的一个主要参数.综述对单晶表面加工损伤进行分析评价的各种方法,对各种分析方法的基本原理、主要特点及应用做了概要介绍.由于单晶表面损伤以及表面残余应力存在一定的梯度及各种表征方法的作用机理、作用深度不尽相同,因此不同的评价方法对同一样品的分析往往会出现差异.根据不同的分析目的,给出了选择分析手段的建议.
关键词:
单晶
,
表面损伤层
,
分析评价
