刘登峰
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李园园
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汪晓芹
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杨志远
材料保护
常用于X射线和γ射线探测器中的CdZnTe(CZT)晶片经机械抛光后表面存在损伤层和许多肉眼看不到的划痕,采用溴甲醇(Br2-CH3OH)腐蚀可有效去除损伤层和划痕,使表面变得光亮平整.但经Br2-CH3OH腐蚀的表面富Te而产生较大的表面漏电流,为此,采用H2O2溶液,NH4F/H2O2溶液,KOH-KCl溶液+NH4F/H2O2溶液二步法和溴水4种湿法化学钝化工艺,对CZT晶片表面进行了钝化处理,并对比了其钝化效果.结果表明:二步法钝化效果最好,表面漏电流降低4个数量级,NH4F/H2O2对CZT晶片表面的钝化效果较好,表面漏电流降低3个数量级.
关键词:
钝化
,
CdZnTe晶片
,
化学抛光
,
表面漏电流
,
探测器
汪晓芹
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介万奇
,
周安宁
,
李焕勇
功能材料
用NH4F/H2O2对Br2-MeOH抛光CdZnTe晶片表面进行了表面钝化处理,通过I-V测试及XPS分析分别对钝化前后的CZT晶片的电学性能和表面组成进行了表征.I-V测试结果表明NH4F/H2O2对CdZnTe晶片表面有较好的钝化效果,电流下降率随所加偏压的增加而下降.在10V偏压下,电流下降最明显,下降率为73.7%.与欧姆定律发生偏离的临界场强为333V/cm.XPS分析发现,用NH4F/H2O2处理可使CdZnTe表面富集的Te 79.28%被氧化成TeO2,氧化层的厚度约为3.15nm.钝化后的表面更接近CdZnTe的化学计量配比.
关键词:
CdZnTe
,
表面漏电流
,
钝化
,
TeO2
