翟小林
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王英龙
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丁学成
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邓泽超
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褚立志
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傅广生
人工晶体学报
为了研究混合环境气体配比对脉冲激光烧蚀制备纳米硅(Si)晶粒角度分布的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,改变混合环境气体配比(He/Ar =41、1∶10、1∶1、1∶4、1∶2),在半圆环衬底上成功制备了一系列纳米Si晶薄膜.使用扫描电子显微镜(SEM)图像、X射线衍射谱(XRD)和拉曼光谱(Raman)对其进行表征分析.结果表明,在五种配比下,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着偏离羽辉轴向夹角的增大而减小；各个角度处,纳米Si晶粒的平均尺寸均随着混合环境气体平均原子质量的增加而呈现先减小后增大的趋势.从传输动力学角度,对结果进行了定性分析.
关键词:
纳米硅晶粒
,
脉冲激光烧蚀
,
平均尺寸
,
角度分布
孙伟中
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张浚源
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赵成利
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陈峰
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苟富均
材料导报
采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响.由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大.随着入射角度的增大,Si原子和C原子的溅射量先增加后减小.相同入射角度下,Si原子的溅射阈值比C原子的小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量.初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异.产物中主要以Si原子和C原子为主,有少量的Si类和C类产物.入射角度对产物Si原子的角度分布几乎没有影响,而对产物C原子的角度分布有较小的影响.
关键词:
分子动力学
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SiC
,
溅射
,
角度分布
