董桂霞
,
谷南驹
,
马晓丽
中国有色金属学报
通过恰当的成分设计,获得了具有较低马氏体相变温度及较宽相变滞后的Cu-Al-Mn-Nb形状记忆合金.用差热分析法(DSC)测得Cu-26.8Al-4.8Mn-1.0Nb(摩尔分数,%)合金在降温时马氏体相变最激烈的温度为-32℃;升温时奥氏体相变最激烈时的温度为68℃;相变滞后宽度达100℃.透射电镜、扫描电镜及X射线衍射分析表明,该合金的马氏体为2H型结构,宽滞后效应是由于合金进行马氏体相变时析出了点状富铌颗粒从而松驰掉一部分弹性应变能而产生的.该合金在表面应变为4%时,弯曲变形试样的形状回复率达93%以上,在室温下时效2个月后,其形状回复率没有发生明显恶化.室温下其抗拉强度约为550 MPa,屈服强度约为380 MPa,塑性延伸率约为7%.
关键词:
Cu-Al-Mn-Nb
,
形状记忆合金
,
相变滞后
,
记忆效应
,
力学性能
秦爱林
,
阎斌
,
张春梅
,
汪映寒
高分子材料科学与工程
采用反向原子转移自由基聚合制备苯乙烯引转移终止剂活性大分子(MI),并通过光聚合诱导相分离法制备聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了MI含量和交联剂(HDDA)的含量对PDLC开态透光率、阈值电压(V_(th))、饱和电压(V_(sat))、记忆效应和对比度的影响.结果表明,当PDLC中的MI含量从5%增到10%时,开态透光率增加,而阈值电压(V_(th))、饱和电压(V_(sat))降低,记忆效应增强,对比度先增加,然后又降低;当PDLC中的FDDA含量从25%增加到90%时,开态透光率降低,V_(th)、V_(sat)增加,记忆效应减弱.
关键词:
聚合物分散液晶
,
记忆效应
,
聚合诱导相分离
,
电光性能
,
反向原子转移自由基聚合
刘永红
,
杨毅
,
张作龙
功能材料
针对SMA电火花加工机器人加工时常用的3种工作介质水、煤油和乳化液,研究了SMA弹簧的记忆恢复变形特性和变形规律.结果表明,对应不同的环境介质,SMA弹簧的记忆回复变形量与驱动电流间存在一一对应关系,通过控制驱动电流可控制记忆回复变形量.在不同环境介质中SMA弹簧的记忆回复变形速度的变化趋势是一致的,都是先随着回复位移的增加而增加,在接近中间段时达到最大,然后随着位移的增加而减小.驱动电流是对SMA弹簧动态变形速度影响最明显的参数,通过选择合适的驱动电流可有效地控制SMA弹簧的回复变形速度.
关键词:
形状记忆合金
,
环境介质
,
弹簧
,
记忆效应
李艳锋
,
米绪军
,
高宝东
,
谭冀
材料导报
疲劳性能是评价形状记忆合金优劣的重要指标之一.对TiNi基形状记忆合金的疲劳概念进行了延伸,详尽介绍了旋转弯曲疲劳法(Bending rotation fatigue)测试形状记忆合金的疲劳性能,总结了记忆效应疲劳和超弹性疲劳的机理和研究现状.此外,指出了现阶段形状记忆合金疲劳行为研究存在的不足.
关键词:
TiNi形状记忆合金
,
疲劳
,
记忆效应
,
超弹性
蒋林志
,
杨杰
,
叶柳
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.009
研究了盎鲁效应对非马尔科夫环境下2个独立狄拉克粒子量子纠缠的影响,结果表明只在某些特定情况下发生纠缠突然死亡和复活.当探测器处在非惯性系,盎鲁效应会对纠缠的复活现象产生很大影响.当探测器处在非惯性系中的加速度不大于一个“临界点”,纠缠死亡和复活仍会出现,而当加速度大于这个“临界点”,纠缠死亡和复活现象不再发生.对此提出了一个合理的解释:盎鲁效应将会影响非马尔科夫环境的记忆效应,也会影响此时环境中量子纠缠的出现及其增长率.
关键词:
量子信息
,
量子纠缠
,
非马尔科夫环境
,
盎鲁效应
,
非惯性系
,
记忆效应
赵策
,
曾虹燕
,
王亚举
,
刘平乐
,
李玉芹
,
杨永杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00874
采用尿素法制备高结晶度Mg-Al水滑石(MAH),系统研究了Mg-Al水滑石“记忆效应”及其对Cr(VI)阴离子吸附性能的影响.通过XRD、FT-IR、SEM、DSC以及去卷积分析对MAH、重构“记忆”MAH (RMAH)以及MAH的金属氧化物(MAO)、RMAH的金属氧化物(RMAO)进行表征分析.结果表明,重构的“记忆”RMAH和前体MAH均具高结晶度水滑石层状晶体结构特征,两者晶体结构和层板电荷密度几乎无差异.MAO仍保留层状结构,而再次重构的RMAO中MgAl2O4尖晶石晶相增多,仍有层状结构残留.由于水滑石强结构“记忆效应”,使Mg-AlLDOs(MAO和RMAO)对Cr(VI)阴离子吸附能力大大强于Mg-Al LDHs(MAH和RMAH).MAO对Cr(VI)阴离子吸附能力高于RMAO,可能由于RMAH焙烧形成的RMAO中MgAl2O4尖晶石含量增多及层状结构消减,导致其“记忆效应”重构能力衰减,从而使RMAO对Cr(VI)阴离子吸附能力下降.
关键词:
Mg-Al水滑石
,
记忆效应
,
铬(VD
,
吸附
,
衰减
任玲玲
,
何静
,
马润宇
,
段雪
,
D.G.Evans
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2001.11.001
通过X射线粉末衍射和透射电镜研究了在青霉素酰化酶(PGA)作用下双金属复合氧化物(LDO)记忆效应与其组成(层板电荷密度、层板离子种类)的关系.结果表明,500℃焙烧水滑石得到的LDO,其结构由前体的有序层状结构成为层板的无序堆积.随层板碱性降低,酶对LDO作用明显,LDO保持其无序层板堆积;随层板碱性增加,酶对LDO作用减小,LDO的记忆效应明显,趋于由无序堆积层板向有序层状结构转变.
关键词:
双金属复合氧化物
,
水滑石
,
记忆效应
,
青霉素酰化酶
,
固定化酶
王雪瑾
,
朱霞萍
,
蓝路梅
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2017.01.160115
实验比较了Na2CO3/NaOH、NaOH和NH4OH沉淀法制备的镁铝层状化合物对模拟废水中Cr(Ⅵ)的去除效果,并通过X射线衍射和Brunauer-Emmett-Teller (BET)方法分析了材料的结构特征.结果表明,以Na2 CO3/NaOH为沉淀剂制备的镁铝层状化合物结晶度高、层状结构完整、比表面积较大、孔径适宜、吸附Cr(Ⅵ)的效果最佳,其优化吸附工艺为:固液比为1g/500 mL,体系pH值为7～9,室温下震荡9h.在最佳吸附条件下,镁铝层状化合物对Cr(Ⅵ)的饱和吸附量达到199.4 mg/g.镁铝层状化合物通过与含铬阴离子形成层状超分子化合物的方式实现了废水中铬的去除,对含Cr(Ⅵ)226.1 mg/L的实验室废水经6次工艺处理后,残余量小于0.5 mg/L,低于国家污水综合排放标准(GB8978-1996)指标.镁铝层状化合物是一种处理实验室废水中Cr(Ⅵ)的优良吸附剂.
关键词:
镁铝层状超分子化合物
,
记忆效应
,
实验室废水
,
Cr(Ⅵ)
,
去除
冶金分析
随着高纯材料的需求日益增大,分析这种材料的辉光放电质谱技术也在不断的完善,其中一个困扰业界的问题就是记忆效应.本文采用辉光放电质谱法在分析锌样品前后分别两次测定了超高纯铜样品中10种痕量杂质(Mg、Al、Cr、Mn、Fe、Ni、Zn、As、Hg、Pb).结果表明,两次测定结果基本一致,尤其是两次测定所得痕量锌含量结果一致,说明改变样品基体时,采用只清洗辉光放电池的方法可消除记忆效应.
关键词:
超高纯铜
,
辉光放电质谱法
,
记忆效应
