裴素华
,
黄萍
,
程文雍
稀有金属材料与工程
利用低浓度掺杂-结深推移-高浓度掺杂设计方法形成Ga基区,制备出NPN晶体管样品.实验结果与理论分析表明:Ga的线性缓变分布和SiO2薄膜覆盖下的扩散,大幅度提高了器件耐压水平与综合电学性能;IC-VCE中的负阻效应是由Ga原子表面浓度经二次氧化变为耗尽状态所致,对此,可采用Si3N4/SiO2/Si复合结构加以改善;总之,开管扩镓是一种制备高压器件不可比拟的新途径.
关键词:
Ga
,
浓度梯度
,
SiO2
,
器件耐压
,
负阻效应
李先懿
,
郑凯波
,
陈冠雨
,
莫晓亮
,
孙大林
,
陈国荣
功能材料
用溶液法制备了CuTCNQ纳米线.用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构及形貌,用拉曼光谱(Raman)研究了CuTCNQ纳米线的电荷转移情况.研究了其不同温度下的电学特性.CuTCNQ纳米线的长度为1～8μm,直径50～300nm.XRD结果显示制备得到的CuTCNQ为Ⅰ相.研究表明,在外加电场作用下,单根CuTCNQ纳米线表现出可逆的电开关特性,阻态转变前后其电阻的变化达3个数量级.高低阻态转变电场阈值约为1.8 V/μm.另外,CuTCNQ纳米线的电阻随着温度的降低而增大,当温度低于临界值160K时,低阻态的CuTCNQ纳米线将出现负阻效应.
关键词:
金属有机配合物
,
CuTCNQ
,
纳米线
,
电荷转移
,
开关特性
,
负阻效应
金克新
,
陈长乐
,
王永仓
,
赵省贵
,
任韧
,
袁孝
,
宋宙模
功能材料
采用射频磁控溅射法制备了Ca、Sr双掺杂La2/3(Ca1/3 Sr2/3)1/3 MnO3(LCSMO)薄膜.电阻率-温度特性表明,薄膜在387K时发生铁磁金属相-顺磁非导体相相变.同时测试了薄膜在180,230和280K温度下的伏安特性,表明所制备的薄膜具有负阻效应,并分析了产生该现象的原因.
关键词:
钙钛矿结构
,
负阻效应
,
双交换作用
,
小极化子
,
Jahn-Teller效应
