浦鸿汀
,
崔春涛
高分子材料科学与工程
模拟了质子在质子交换膜中的输送过程.通过构造新模型,研究了质子数等因素对质子在质子交换膜中输送过程的影响.有实验资料表明质子在膜中的大多数输送是链段运动和质子跃迁双重作用的结果,利用模拟参数本文将输送的质子数表征为链段运动和质子跃迁两项和的形式.随着质子浓度的增加,质子输送数随之增加,达一定值后又随之下降.同时质子输送数随着链段长度、链数、总链段浓度等的增加而增加.而随着链段运动恢复时间的相对增加,质子的跃迁数略有下降.此外,随链容纳质子数的增加,可运动质子数随之增加,达一定值后渐达平衡值.这些结论与文献报道的实验结果基本相符.
关键词:
质子交换膜
,
模拟
,
质子
,
输送
崔春涛
,
浦鸿汀
功能材料
模拟了质子在质子交换膜(PEMs)中的输送过程.根据Nafion等磺化类PEMs的可能结构,借助无规行走模型研究了PEMs中不同组分间质子跃迁距离等参数对质子输送扩散系数的影响.并把从两维体系得到的结果和三维体系的结果进行比较,通过改变不同组分间的跃迁距离分析PEMs体系的变化,结果表明两者模拟结果无大的差别.已有文献表明质子在PEMs中输送是链段运动输送和质子跃迁输送双重作用的结果,二者的贡献大小取决于具体质子导电体系的种类.利用格子重排和无规行走模型研究了这两种机理对质子导电性能的贡献.
关键词:
模拟
,
质子
,
扩散
,
质子交换膜
孙红
,
栾丽华
,
吴铁军
,
唐玉兰
,
王逊
工程热物理学报
质子交换膜燃料电池是最有应用前景的汽车动力替代系统。质子交换膜中的传质是质子交换膜燃料电池性能的控制因素之一。论文从宏观和微观角度分析了质子交换膜中的质子和水分的传递机理，分析了操作参数对质子在质子交换膜中传递的影响。研究发现：外载荷对质子和水分在质子交换膜中的传递有很大影响；（H5O2）＋是水合质子的主要结构形式；通过（H5O2）＋中氢氧键不断形成与断裂，电荷在质子交换膜中得以传递。研究结果对理解质子交换膜中的传质机理及其推广应用具有积极意义。
关键词:
质子交换膜
,
质子
,
分子模拟
,
氢氧键
崔春涛
,
浦鸿汀
材料导报
质子的扩散系数、电导率等质子在质子交换膜中的输送参数可以用实验的方法来表征,这些实验技术大多仍停留在用宏观的参数来反映其微观的性能上.运用计算机模拟技术可直接在分子规模描述其输送过程.主要综述了几种质子在质子交换膜中输送过程的模拟方法,讨论了这几种模型在模拟质子输送过程中的一些假设及求解质子输送情况时的大概思路.
关键词:
模拟
,
质子
,
输送
,
质子交换膜
唐翠明
,
谷渝秋
,
周志坚
,
洪伟
,
王剑
原子核物理评论
在SILEX-I激光装置上实验研究了超强超短激光与Au/CH复合靶相互作用中在靶背法线方向发射的质子束的空间分布特征. 保持复合靶前表面的Au厚度不变, 质子束流随着后表面的C8H8层厚度的增加而减小, 同时质子空间分布呈现环状、成丝和圆盘状分布. 实验没有发现高于2.75 MeV的高能质子产生. 实验进一步完善了超短超强激光等离子体相互作用的物理模型.
关键词:
超短超强激光
,
质子
,
质子空间分布
,
质子产额
,
辐射变色膜片
徐辉辉
,
隋丽
,
刘晓丹
,
汪黎
,
王潇
,
王豫
,
徐勤枝
,
周平坤
原子核物理评论
利用辐照质粒DNA构象变化的分子模型,以DNA糖苷酶Fpg和AP核酸内切酶Endo Ⅲ识别并切割辐射所致DNA碱基损伤,将其转换为DNA断裂损伤,通过电泳分析DNA分子构象变化,研究比较γ射线、质子和7Li离子诱发DNA集簇性损伤.50Gy以上高剂量γ辐射对质粒DNA的损伤主要表现为单链断裂(SSB)和很少比例的双链断裂(DSB),并能产生一定水平的集簇性损伤.相比之下,高能质子束和高LET的7Li离子直接所致DNA的断裂损伤以及所产生的集簇性碱基损伤比γ射线的要严重,质子10 Gy照射就可诱发明显的集簇损伤.
关键词:
DNA集簇性损伤
,
重离子
,
质子
,
γ射线
王柱生
,
李占奎
,
高萍
,
谭继廉
,
李存璠
,
鲍志勤
,
卢子伟
,
张金霞
,
李海霞
,
李春艳
,
韩励想
原子核物理评论
简要介绍了由不同厚度的Au-Si面垒和Si(Li)半导体探测器组成的全耗尽带电粒子望远镜系统的制备及其性能,给出了载有该望远镜系统的风云三号卫星(FY-3A)在轨道高度约为830km辐射区域监测2.9-100 MeV质子和0.15-5.7 MeV电子的结果.
关键词:
半导体
,
探测器
,
望远镜系统
,
FY-3A卫星
,
质子
,
电子
古松
,
刘杰
,
刘天奇
,
张战刚
,
姚会军
,
段敬来
,
苏弘
,
侯明东
,
罗捷
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.32.03.353
宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注.利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 MeV的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μn体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究.实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR(E)ME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转.
关键词:
质子
,
单粒子翻转
,
核反应
,
CR(E)ME-MC模拟
刘杰
,
侯明东
,
张庆祥
,
甑红楼
,
孙友梅
,
刘昌龙
,
王志光
,
朱智勇
,
金运范
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2002.04.010
简略介绍了高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法, 包括核反应分析方法、半经验方法, 介绍了质子和重离子翻转截面间的关系, 并用重离子实验数据预测器件在质子环境下的翻转率.
关键词:
单粒子效应
,
质子
,
半导体器件
