秦凯丰
,
桑文斌
,
钱永彪
,
闵嘉华
,
滕建勇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.017
采用超声波扫描(SAM)、俄歇电子能谱分析技术(AES)、电极粘附力测试和I-V特性测试等方法研究了化学沉积、溅射和真空蒸发三种不同沉积工艺条件下Au/p-CdZnTe接触界面的各种特性.通过实验结果可以看出,化学法沉积的Au电极能形成较好的欧姆接触特性,但其操作工艺不容易控制,电极接触层均匀性较差,在器件使用过程中,容易引起电极的退化;溅射沉积的Au电极有着较好的附着力,但对CdZnTe表面的损伤较大,欧姆接触特性较差;真空蒸发法沉积的Au电极,有着较好的欧姆接触特性,且其电极接触层也较为均匀,只是电极附着力相对较小,但可以通过合适的退火工艺进行改善.
关键词:
CdZnTe
,
接触界面
,
超声波扫描(SAM)
