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超欧姆型热库环境下互感效应对磁通量子比特退相干的影响

邹雄 , 冯斌斌 , 嵇英华

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2012.06.010

在二能级近似下运用Bloch-Redfield方程,研究了超导量子电路中的磁通量子比特退相干在超欧姆热库环境下受互感效应的影响.研究结果表明:1)在超欧姆热库环境下,提高环境指标系数有利于延长超导磁通量子比特的退相干时间； 2)构建超欧姆型热库环境可以改进固态量子比特的退相干； 3)电感元件间的互感耦合对量子电路系统退相干的影响是比较复杂的,调控好电感元件间的互感耦合有利于提高退相干时间.

关键词: 量子光学 , 退相干 , 磁通量子比特 , 超欧姆型热库