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汪雷 , 黄靖云 , 叶志镇
材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.04.019
利用UHV／CVD技术，在较低的温度下，在阳极氧化形成的双层多孔硅上，成功地生长了单晶性好、厚度均匀、电阻率分布合适的硅单晶外延层。这为进一步研制SOI材料与器件提供了所需的薄硅外延层。
关键词: 多孔硅 , 硅外延 , 超高真空CVD
章国强 , 黄靖云 , 亓震 , 卢焕明 , 赵炳辉 , 汪雷 , 叶志镇
材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.01.005
SiGeC三元合金成为近年来人们研究的热点之一.处于替代位置的碳可以缓解SiGe合金的应变,同时调节其能带,在能带工程上提供了更大的灵活性.本文利用UHV/CVD技术生长了掺碳达2.2%的锗硅碳合金,获得了良好的外延层质量,并对碳的应变缓解效应进行了研究.
关键词: 锗硅碳合金 , 应变弛豫 , 超高真空CVD
