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吴中亮 , 马瑞新 , 艾琳 , 汪春平 , 孙鹏 , 张亚东 , 康勃 , 王目孔
材料导报
作为半导体用的铜靶材,其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质,靶材晶粒的细化技术成为关键.依据转底炉法原理制备了一种片状铜,并对其晶粒尺寸的变化进行了研究,通过分析发现:坩埚底孔直径越小,底转盘转速越快,底转盘传热越好;在底转盘冷却效果好的情况下,下落点离底转盘的边缘越近,铜带的晶粒越小.
关键词: 转底炉法 , 铜带 , 晶粒尺寸
