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基于转移矩阵法的Bragg光纤设计

刘道军 , 周建 , 朱小萍

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.06.015

光通信、光传感等领域的技术迅速发展对光纤的性能提出了新的要求,促使人们提出了许多新型折射率结构的光纤,Bragg光纤就是其中的一种新型折射率光纤,它有很多普通光纤无法比拟的优势.为了更加全面地分析Bragg光纤的基本理论,以普通同轴分层光纤为例介绍了转移矩阵法的基本思想,将这一理论应用于Bragg光纤的模场计算,然后把有限包层布拉格光纤的模式作为无限包层情形的退化来分析,进一步研究Bragg光纤的设计原则.

关键词: 光通信 , Bragg光纤 , 转移矩阵法 , 光子晶体 , 边界条件

基于转移矩阵法的n-Si/n-Fe2O3光催化性能研究

陈磊 , 冯德强 , 刘孟寅 , 王卫超

人工晶体学报

对平衡态及光照下非平衡态的n-Si/n-Fe2O3/electrolyte的能带结构进行了分析,同时结合转移矩阵法定量地计算Si中不同能量的电子/空穴穿过n-Si/n-Fe2O3势垒并满足水氧化还原电势要求的透射系数,从而得出光照与Fe2O3厚度对Si中电子/空穴透射能量的影响.结果表明:Fe2O3层厚度(1~10 nm)与光电压的增大,均可以使Si中电子满足水还原反应电势要求所需的最小能量减小,同时使Si中空穴满足水氧化反应电势要求所需的最小能量增大.通过选择合适的Fe2O3厚度(~7 nm),可以使Si中的光生电子和光生空穴同时以较小的能量传输到电解液中并满足水氧化和水还原反应的电势要求.

关键词: 光催化 , 转移矩阵法 , 透射系数 , n-Si/n-Fe2O3异质结 , 水氧化还原反应

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