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闵靖 , 邹子英 , 李积和 , 周子美 , 陈青松 , 陈一
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.006
用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.
关键词: 机械损伤 , 软损伤 , 氧化诱生层错 , S坑缺陷 , 外吸除 , 内吸除
