秦丙克
,
李尚升
,
李小雷
,
宿太超
,
马红安
,
陈孝洲
,
姜一平
,
邓乐
,
柳洋
,
任国仲
,
贾晓鹏
功能材料
利用高压(2～5GPa)固相反应法合成了单相的方钴矿多晶体化合物Co4Sb12-xSex(0≤x≤1.2).室温下对其电阻率(ρ),Seebeck系数(S)以及微观形貌(SEM)进行了测试分析.结果表明,高压固相反应法合成的样品Co4Sb12-xSex具有细小的晶粒和大量的晶界,晶粒直径处于微纳米级.样品的Seebeck系数绝对值随Se置换浓度(x)而增大,电阻率随Se置换浓度x的升高而显著增大.在合成压强为4.25GPa时,样品Co4Sb10.8Se1.2具有绝对值最大的Seebeck系数501.59μV/K,Co4Sb11.9Se0.1获得最大的功率因子值为3.77μW/cm·K2.
关键词:
方钴矿
,
热电材料
,
载流子浓度
,
晶体结构
,
高温高压
许洁
,
魏长平
,
贾坤
功能材料
采用溶胶-凝胶法制备Ca((2.7)M_(0.3)Co_4O_9(M=Ag~+,Sr~(2+),Yb~(3+_)系列陶瓷样品,通过XRD和SEM对样品结构进行表征,考察了掺杂对材料电阻率和Seebeck系数的影响.陶瓷样品XRD图呈现出尖锐的(00l)相,且断面形貌呈片层状,说明压片烧结使样品内部晶粒择优取向,形成高度织构.Ag~+掺杂使电阻率略有下降.Sr~(2+)掺杂使电阻率明显降低,提高了功率因子在850K时达到2.62×10!~(-4)W/(m-1·K~(-2)).Yb~(3+)掺杂使Seebeck系数明显提高,但同时也增加了电阻率.因此,在相同掺杂量下,Ca_(2.7)Sr_(0.3)Co_4O_9为优化载流子(空穴)浓度的最佳值.
关键词:
钴酸钙
,
掺杂
,
载流子浓度
,
功率因子
文思逸
,
邹苑庄
,
胡飞
,
文圆
人工晶体学报
采用三电极体系在硫酸铜-乳酸体系的中电化学沉积法制备Cl∶ Cu2O薄膜,通过光电流(l-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试、光电压衰减测试(V-t),研究Cl离子掺杂对氧化亚铜薄膜性能产生的影响.结果表明当pH值为8.5时,可以获得n型氧化亚铜.随着CuCl2的加入,氧化亚铜薄膜的光电流密度先上升后下降.莫特-肖特基曲线测试的载流子浓度与光电流密度的趋势一致,当CuCl2为40 mmol/L时达到最高值,光电流密度为0.11 mA/cm2(较纯氧化亚铜提高了247.6％),载流子浓度为3.58×1019 cm-3(较纯氧化亚铜的载流子浓度提高了2457％).将光电压衰减测试结果进行拟合后发现在40 mmol/L CuCl2溶液中得到的薄膜,其载流子的半衰期提高到了8.92s,说明较纯氧化亚铜薄膜的光稳定性大大提高了.
关键词:
电化学掺杂
,
Cu2O薄膜
,
载流子浓度
,
光稳定性
,
载流子寿命
肖鹏
,
李轻舟
,
陆遥
,
景友亮
材料导报
利用计时电流法制备了纳米金属Zn/TiO2纳米管 (Zn/TNT) 复合电极,采用场发射扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对纳米管形貌和结构进行了表征,通过Mott-Schottky分析法研究了复合电极的载流子浓度与平带电势的变化.结果表明,Zn负载促使纳米管平带电势负移,适量Zn沉积可以提高载流子浓度,而在160W高压汞灯光照条件下,Zn/TNT光电流响应亦明显优于TNT.
关键词:
Zn纳米颗粒
,
TiO2纳米管阵列
,
Mott-Schottky图
,
载流子浓度
,
平带电势
,
光电流
刘芬
,
曹世勋
,
黎文峰
,
李领伟
,
池长昀
,
敬超
,
张金仓
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.010
本文研究了Pr1.85Ce0.15CuO4-δ(PCCO)中V4+离子替代Cu2+离子后对其超导电性的影响.Pr1.85Ce0.15Cu1-xVxO4-δ(x=0～0.10)电阻率测量结果显示:微量(x≤0.04)V4+离子替代Cu2+离子可以改善样品的超导电性;随着替代量的增加,体系的超导电性逐渐被抑制,x=0.08时超导电性消失.我们主要从样品的微观结构和载流子浓度两个方面的变化分析了V4+替代Cu2+对PCCO超导电性的影响机制.霍尔系数实验结果表明,替代量较少时,体系中载流子浓度随着x的增加而增加,有助于超导电性的改善,但是当替代量增加到一定程度时,晶格畸变程度的增大和顶点氧的出现,抑制了超导电性.
关键词:
电子型高温超导体
,
超导电性
,
微观结构
,
载流子浓度
姜涛
,
丁铁柱
,
潮洛蒙
,
范文亮
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2009.05.002
采用离子束溅射法在YSZ(110)衬底上制备Ln0.5Sr0.5CoO3(Ln=La,Pr)钙钛矿多晶薄膜,研究了载流子浓度、迁移率与温度的关系,分析了A位置稀土离子半径rA3+对电导率的影响.结果表明,在375K～667K温度范围内,La0.5Sr0.5CoO3薄膜的载流子浓度由4.76×1027/m3升高到9.43×1027/m3,迁移率由0.21cm2/Vs升高到0.218cm2/Vs;Pr0.5Sr0.5CoO3薄膜的载流子浓度由0.58×1027/m3升高到7.9×1027/m3,迁移率由0.0853cm2/Vs升高到0.172cm2/Vs.Ln0.5Sr0.5CoO3薄膜的霍尔系数激活能EH与电导激活能Eα的比值近似为2/3,符合Emin和Holstein的小极化子绝热区域导电理论.
关键词:
Ln0.5Sr0.5CoO3薄膜
,
固体氧化物燃料电池
,
载流子浓度
,
迁移率
井源源
,
刘艳辉
,
孟亮
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2007.01.015
采用Fe膜热硫化技术制备了具有不同比表面积和比晶界面积的FeS2薄膜,并测定其载流子浓度和电阻率,研究了FeS2薄膜表面和晶界等面缺陷对FeS2薄膜电学性能的影响.结果表明,表面和晶界两种面缺陷对FeS2薄膜的电学性能有类似的影响规律.在一定范围内,随着薄膜比表面积和比晶界面积的增大,载流子浓度提高而电阻率下降.面缺陷数量的变化可导致FeS2晶体中点缺陷数量、禁带中缺陷能级密度、不充分相变产物比例和相变应力水平的变化,从而导致载流子浓度和电阻率的变化.
关键词:
无机非金属材料
,
FeS2
,
晶体缺陷
,
载流子浓度
,
电阻率
石磊
,
徐学诚
复合材料学报
用溶液共混法制得了MWNTs/PS-PVC复合材料,进行了电导率的测试分析.通过对载流子浓度、迁 移率的测量以及电导活化能的计算等分析研究了影响MWNTs/PS-PVC复合材料电导率的因素和导电机制.结 果表明:当PS与PVC的质量比为1∶1时,MWNTs/PS-PVC复合材料的导电阈值最低；当MWNTs的质量分 数为1.5％,PS在PS-PVC基体中的质量分数为50％时,MWNTs/PS-PVC复合材料的电导率比MWNTs/PVC单一聚合物复合材料的提高了4个数量级.在导电网络的形成过程中,MWNTs/PS-PVC复合材料中形成的与无机化合物超晶格结构类似的n-i-p-i结构,降低了MWNTs/PS-PVC复合材料的电导活化能,增加了载流子浓度,使MWNTs/PS-PVC复合材料电导率显著提高.
关键词:
多壁碳纳米管
,
聚苯乙烯
,
聚氯乙烯
,
电导率
,
载流子浓度
,
导电机制
刘颖
,
戴丹
,
江南
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160422
以化学气相沉积(CVD)制备的单层石墨烯为原料,小分子三嗪为掺杂剂,采用吸附掺杂的方式,在低温下对石墨烯实现n型掺杂.利用拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV)和霍尔效应测试仪(Hall)对样品的形貌、结构及电学性能进行表征.结果表明:该方法简单安全,能够对石墨烯实现均匀的n型掺杂,掺杂石墨烯的透光率达到95％.掺杂后石墨烯的特征峰G峰和2D峰向高波数移动.掺杂180 min后,载流子浓度达到4×1012/cm2,接近掺杂前的载流子浓度,掺杂后的石墨烯在450℃的退火温度下具有可逆能力,其表面电阻在300℃以下具有较好的稳定性.
关键词:
CVD石墨烯
,
三嗪
,
n型掺杂
,
载流子浓度
,
表面电阻
徐继平
,
程凤伶
人工晶体学报
电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据.
关键词:
电化学C-V
,
MOCVD
,
GaAs
,
载流子浓度
