李焕勇
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介万奇
功能材料
用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～1020℃,管内温差＜4℃.经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体.XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质.
关键词:
化学气相输运
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光学性质
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输运剂
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ZnSe单晶
付泽华
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李焕勇
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李辉斌
人工晶体学报
以高纯的Zn、Mg以及Se2单质为生长原料,加入高纯的碘单质作为反应输运剂,采用化学气相输运(CVT)方法成功制备了ZnMgSe单晶,并且分别采用X射线衍射、双晶衍射、紫外可见分光光度计、红外光谱仪以及光致发光(PL)技术研究了晶体的结构、结晶质量以及光学性质.结果表明,制备的单晶结晶性能良好,在500 ～ 1500 nm波长范围内的透过率接近50％,在400 ～ 4000 cm-1波长范围内的透过率达到42％,在2.0～2.6 eV范围内有三个明显的空位与杂质发光带.以Zn、Mg及Se2单质为生长原料,在输运剂I2的帮助下可以实现ZnMgSe单晶的生长.
关键词:
ZnMgSe单晶
,
气相生长
,
输运剂
,
光学性质
李文渭
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李焕勇
,
介万奇
人工晶体学报
本文直接以高纯Zn、Se单质为原料,加入少量碘单质作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶.采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明,生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能,成份接近理想的化学计量比,在500～2000nm范围内透过率达到65%～70%,在1.9～2.5 eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带.由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的.
关键词:
ZnSe单晶
,
一步生长
,
输运剂
