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边缘裁剪石墨烯纳米带的电子输运性质研究

王晓伟 , 胡慧芳 , 张照锦 , 程彩萍

材料导报

运用第一性原理的密度泛函理论,结合非平衡格林函数,研究了边缘裁剪对Zigzag石墨纳米带(ZGNRs)的电子结构与输运性能的影响.计算结果表明,对Zigzag石墨纳米带边缘的裁剪显著影响了体系的电子输运性能.其中,边缘裁剪使得金属型石墨纳米带的能隙打开,而且随着结构中的Zigzag边缘长度减少,能隙逐渐增大,使得体系由金属型向半导体型转变;同时,边缘裁剪使Zigzag金属型石墨烯纳米带的输运性能降低,电流-电压呈非线性变化,尤其对于M3体系而言,边缘的裁剪使体系表现出很好的开关特性.

关键词: 石墨烯 , 边缘裁剪 , 电子性质 , 输运性能

Bi1.85 In0.15 Se3单晶的结构及输运特性研究?

张敏 , 魏占涛 , 羊新胜

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.009

主要研究了Bi1.85 In0.15 Se3的晶体结构、微观形貌及电输运性能.样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理.样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为.拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现;而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存.当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2 Se3相反的负磁电阻效应.这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关.

关键词: Bi1.85 In0.15 Se3 , 单晶 , 输运性能 , 负磁电阻效应

高填充量BaxEuyCo4Sb12方钴矿热电性能研究

吴汀 , 柏胜强 , 史迅 , 陈立东

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12615

利用熔融法和等离子放电烧结(sPs)制备单相双原子填充BaxEuyCo4Sb12方钴矿材料并测试其高温热电性能.实验发现,在高填充量下(x+y>40%),材料在高温时具有高的功率因子(>60 W/(cm·K2)).在方钴矿的晶格空洞中同时引入Ba和Eu两种填充原子,能增强晶格声子散射,从而大幅降低方钴矿的晶格热导.实验证实,BaxEuvC04Sb12体系的晶格热导显著降低,其室温晶格热导最低达1.7 W/(m·K).与此对应的是双原子填充BaxEuyCo4Sb12方钴矿材料的热电优值(ZT值)明显增大,其中Ba0.19Eu0.23Co4Sb12的ZT值在850 K时达到了1.3.

关键词: 热电 , 填充方钴矿 , 输运性能

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