蔡之让
,
刘宁
,
童伟
,
张勐
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.01.014
通过测量样品的M-T曲线、M-H曲线、ESR曲线、红外光谱、拉曼光谱、ρ-T曲线和MR-T曲线,研究了双掺杂La0.67+1.33xSr0.33-1.33xMn1-xMgxO3(0.00≤x≤0.25)体系的磁电性质和输运行为.对x=0.10和0.15,在温度高于Tconset时出现相分离;对x=0.20和0.25,在低温区出现了反铁磁(AFM)行为.x=0.05的ρ-T关系存在金属-绝缘体(MI)转变;x≥0.15的所有样品在测量温区内显示绝缘体行为.这些奇异现象用M-H关系、ESR曲线和拉曼光谱给予了很好的解释.
关键词:
凝聚态物理
,
金属材料
,
磁结构
,
输运特性
,
稀土
陈志高
,
陈水源
,
黄志高
,
赖恒
,
都有为
稀有金属材料与工程
用固相反应烧结法制备了多晶体材料La2/3Ca1/3MnO3(LCMO),La2/3(Ca0.5Ba0.5)1/3MnO3(LCBMO)、La2/3Ba1/3MnO3(LBMO),La2/3(Sr0.5Ba0.5)1/3MnO3(LSBMO)和La2/3Sr1/3MnO3(LSMO),测量了它们在77 K～800 K的电阻和磁电阻特性.实验发现,通过一定的工艺技术制备出的CMR材料有强烈的相界效应,在低温下有大的磁电阻,且在Tc附近存在明显的从金属态向半导体态的转变;用自旋极化电子隧道效应和靠近居里点逾渗模型较好地解释了电阻和磁电阻行为;用非绝热小极化子跃迁模型对高温的电阻特性进行拟合处理,得到了激活能;同时发现退火处理对样品的电阻率有重要的影响.
关键词:
磁电阻
,
输运特性
,
稀土
,
非绝热小极化子跃迁
姚恺
,
曹桂新
,
康保娟
,
沙燕娜
,
曹世勋
,
敬超
,
张金仓
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.02.008
系统研究了La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(0.0≤x≤0.3)体系的结构和输运特性.结果表明,随着Co掺杂浓度的增加,体系的晶胞体积单调减小,并出现正交到四方的结构变化;绝缘体-金属转变(I～M)温度TIM向低温区移动,对应的峰值电阻率ρp急剧升高.在高温区(T>TIM)体系的输运特性满足可变程跃迁模型,对低浓度掺杂(x≤0.1)样品,具有典型的绝缘-金属转变行为,在低温区(T
关键词:
La5/8Ca3/8MnO3体系
,
Co掺杂
,
晶体结构
,
输运特性
姚恺
,
张金仓
,
曹桂新
,
沙燕娜
,
曹世勋
,
敬超
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.013
系统研究了强关联锰氧化物La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(x=0,0.05)体系的结构和输运特性.结果表明,样品均为很好的正交O′单相结构,Mn位5%Co掺杂明显影响了样品铁磁-顺磁(FM-PM)转变和金属-绝缘体(M-I)转变,M-I转变温度TM-I从未掺杂时的271K降至227K,对应的峰值电阻率ρp增大;随着TM-I的降低,Tc同时降低,磁电阻MR%亦相应增加;La5/8Ca3/8MnO3样品在Tc以下表现出长程铁磁有序态,Mn位5%Co掺杂样品则表现为团簇玻璃型短程铁磁有序行为.证明Co掺杂引起电子的局域化效应乃是导致体系输运行为发生变化的主要原因.同时,从Mn3+-O2--Mn4+双交换(DE)作用和超交换(SE)相互作用机制等出发,对样品的输运行为、CMR效应以及与Co掺杂之间的关联进行了讨论.
关键词:
锰氧化物
,
Co掺杂
,
输运特性
,
电子局域化
曾亭
,
吴革明
,
赵鸿滨
,
杨萌萌
,
魏峰
,
杜军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.012
采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯.XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长.拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构.通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性.在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因.同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳；而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低.
关键词:
石墨烯
,
低压化学气相沉积法
,
Raman光谱
,
光刻和刻蚀
,
退火
,
输运特性
金克新
,
陈长乐
,
赵省贵
,
罗炳成
,
王建元
,
陈钊
,
高国棉
,
袁孝
稀有金属材料与工程
采用磁控溅射方法制备了二价碱土元素微量掺杂锰氧化物La0.85Sr0.015MnO3(LSMO)薄膜.电阻-温度关系表明,薄膜在273 K时发生铁磁金属-顺磁半导体相变.在磁场和激光作用下,薄膜呈现出不同的响应特性:在整个测试温度区间内,磁场作用使薄膜电阻变小,在243 K时,取得最大磁电阻变化率为21%;激光辐照薄膜在不同的相态显示出不同的变化特性,在铁磁金属态导致电阻增大,而在顺磁半导体态则致使电阻减小.从能带理论的角度定性地分析了产生该现象的原因是外场对eg电子的作用不同.
关键词:
输运特性
,
La0.85Sr0.015MnO3薄膜
,
小极化子
,
Jahn-Teller效应
韩立安
,
陈长乐
稀有金属材料与工程
利用射频磁控溅射法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的外延生长了La0.67Pb0.33MnO3薄膜.用X射线衍射、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为a=3.861 rm,具有良好的单晶外延结构.居里温度TC(=335 K)非常接近金属绝缘体转变温度TMI(=340 K).在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变,导电特性由金属特征向半导体特征过渡.此材料呈现出的一种典型自旋玻璃特性是由应力造成的.磁电阻在居里点达到极大值,当H=1.0 T时,磁电阻的极大值为24.3%,输运性质表明,T＜TMI时,电阻率满足公式ρ(T)=ρ0+ρ1T2+ρ2T4.5,此输运机制是由电子造成的;当T＞TMI时,符合小极化子模型,输运机制是由于小极化子近邻跃迁引起的.
关键词:
La0.67Pb0.33MnO3外延膜
,
自旋玻璃
,
输运特性
,
小极化子
金克新
,
陈长乐
,
赵省贵
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射方法在LaAlO3(100)基片上制备了电荷有序态锰氧化物Sm0.5Ca0.sMnO3薄膜,X射线衍射分析表明所制备薄膜具有较好的外延特性.测试了薄膜的低电阻-温度关系,表明薄膜在测量温度范围内呈现半导体导电特性.施加磁场和激光辐照均可引起电荷有序态的退局域化,从而导致电阻减小.研究了激光诱导电阻变化弛豫特性,表明电阻随时问的变化符合指数关系,通过拟合得到的时间常数随着温度的升高而增加,分析表明其主要可归结于外在热效应的影响.
关键词:
稀土
,
锰氧化物
,
输运特性
,
光诱导弛豫
孟影
,
金绍维
,
高娟
,
圣宗强
材料导报
不同厚度的Nd0.7Sr0.3MnO3(NSMO)外延膜是由脉冲激光沉积生长在(LaAlO3)0.3(Sr2AlTaO6)0.7(LSAT)(001)衬底上的.X射线衍射(XRD)和电阻率测量结果显示,沉积氧压为21.333Pa时薄膜c轴参数随着膜厚的减小而增加,同时金属-绝缘体的转变温度TP下降,电阻率增大；另一组生长在27.999Pa氧压下,厚度为120nm的薄膜单胞体积随着退火温度的升高而增大,同时电阻率升高,TP下降.上述结果归因于低的原位沉积氧压和真空退火引起的氧缺失导致n(Mn3+)/n(M甜+)的增大以及MnO6八面体的畸变.结果表明,对超薄的应变薄膜,要获得较高的TP值,较高的沉积氧压是必需的,同时应仔细考虑真空退火对薄膜性能的影响.
关键词:
外延膜
,
沉积氧压
,
真空退火
,
输运特性
