霍晓迪
,
陈兵
,
李知勋
,
李淳东
,
刘华锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0058
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺.利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致.实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿.采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能.
关键词:
干法刻蚀
,
侧面接触方式
,
过孔
,
液晶面板
,
低温多晶硅技术
李田生
,
谢振宇
,
张文余
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
,
苏顺康
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122704.0493
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,研究了通过改变钝化层(PVX)的沉积工艺来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔 (VIA)尺寸的方案,通过设计实验考察了影响过孔大小的钝化层的主要影响因素(黑点、倒角、顶层钝化层沉积厚度,顶层钝化层沉积压力),得出了在不改变原有刻蚀方式基础之上使过孔的尺寸降低20％～30％的优化方案,并对其进行了电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、Mobility:迁移率),从而获得了较佳的减小过孔尺寸的方案,提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
李田生
,
陈旭
,
谢振宇
,
徐少颖
,
闵泰烨
,
张学智
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0674
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势.通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比).实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10％～20％.对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
曲连杰
,
郭建
,
史大为
,
陈旭
,
闵泰烨
,
杨莉
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0246
为了满足市场对显示产品高分辨率的要求，需要从产品的设计和工艺各个方面进行优化，其中过孔尺寸和线宽两个因素对阵列基板分辨率影响最大，本文通过相移掩模技术可以实现对过孔尺寸的精确控制，通过在普通过孔上增加一定厚度和透过率的相移层，并对各种参数下过孔的光透过率进行模拟分析，可以获得不同相移层参数对过孔特性的影响，最后提出一种可以获得稳定微小过孔的方法。结果表明，通过对相移层透过率和宽度的控制，可以获得对曝光光强不敏感的稳定微小过孔，曝光量增大一倍乃至数倍的过程中，过孔尺寸始终保持稳定，提高了工艺容忍度。对于模拟中过孔尺寸可以小于设备的4μm 分辨极限。通过减小过孔尺寸，可以有效提升 TFT 显示产品的开口率，实现产品对高分辨率的要求。
关键词:
薄膜晶体管液晶显示器
,
过孔
,
高分辨率
