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  • 论文(6)

近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究

朱兴华 , 杨定宇 , 孙辉 , 魏昭荣 , 李乐中 , 杨维清 , 祖小涛

功能材料

采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,...

关键词: 近空间升华法 , PbI2厚膜 , 沉积速率 , 压应力 , 六方中心 , 发光峰

CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律

袁妍妍 , 介万奇 , 高俊宁 , 查钢强

功能材料

采用近空间升华法(close-spaced sublimation,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律.研究结果表明,薄膜的生长速率随着生长温度的升...

关键词: CdZnTe薄膜 , 近空间升华法 , 太阳能电池 , 形貌 , 结构

CdS多晶薄膜的制备及性质研究

杨定宇 , 郑家贵 , 朱兴华 , 魏昭荣 , 夏庚培 , 冯良桓

功能材料

分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3...

关键词: CdS多晶薄膜 , 太阳电池 , 近空间升华法 , 电子束蒸发法

近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究

苏虹 , 査钢强 , 高俊宁 , 介万奇

功能材料

采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增...

关键词: 近空间升华法 , CdZnTe厚膜 , 薄膜探测器 , 光电性能

近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究

蔺云 , 介万奇 , 查钢强 , 张昊 , 周岩 , 汤三奇 , 李嘉伟

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.10.015

采用近空间升华法在 GaAs (100)衬底上外延生长CdZnTe 单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe 外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS 的结果表明,CdZnTe 外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分...

关键词: 近空间升华法 , CdZnTe外延厚膜 , PL谱 , 应变弛豫

大面积CdTe多晶薄膜的制备及其性能

蒋显辉 , 郑家贵 , 黎兵 , 夏庚培 , 武莉莉 , 冯良桓 , 蔡伟 , 张静全 , 李卫 , 雷智

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.014

通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计制造的近空间升华系统制备出了面积为300 mm×400 mm的大面积CdTe多晶薄膜,利用XRD、SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜呈(111)择优取向,且...

关键词: CdTe薄膜 , 近空间升华法 , 大面积