石家纬
,
张素梅
,
齐丽云
,
胡贵军
,
李红岩
,
李永军
,
刘建军
,
张锋刚
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.026
通过对50余只808nm的GaAs/GaAlAs高功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,从1000h多的恒流电老化结果可以看出,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后,表现出按指数规律缓慢下降的行为.初步实验结果表明器件具有长寿命的潜力.
关键词:
高功率
,
单量子阱
,
远结半导体激光器
,
老化
