刘高斌
,
王新强
,
冯庆
,
何阿玲
,
马勇
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赵兴强
,
杨晓红
功能材料
利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品.在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量.CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%.利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近.薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm.
关键词:
透明导电膜
,
p型
,
CuAlO2
,
电子束蒸发
李爱丽
,
闫金良
,
石亮
,
刘建军
人工晶体学报
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
关键词:
透明导电膜
,
多层膜
,
光学性质
,
电学性质
赵银女
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.018
用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO靶材在石英玻璃衬底制备Ga2 O3 /ITO周期多层膜.样品在300～800℃真空退火1小时,研究退火温度对薄膜光学和电学性能的影响.400℃退火的Ga2O3/ITO周期多层膜面电阻和电阻率低至68.76Ω/□和3.47×10-3Ω·cm,载流子浓度和霍尔迁移率高达1.30×1020 cm-3和14.02cm2 V-1 s-1.退火温度超过500℃后,Ga2O3膜层和ITO膜层之间开始相互扩散,薄膜结晶质量和导电性变差.所有退火薄膜在紫外-可见光范围的平均光学透过率高于83％,光学带边吸收随退火温度增加发生蓝移,光学带隙从4.59eV增加到4.78eV.
关键词:
磁控溅射
,
多层膜
,
透明导电膜
,
退火
,
光学性质
,
电学性质
章峰勇
电镀与涂饰
介绍了银盐法制备聚酯/金属复合透明导电膜的工艺条件,对化学镀铜液发浑、低温结晶析出,镀镍工艺不稳定、镀层发红等原因进行了分析,提出了解决措施:将镀铜液中配位剂柠檬酸钠的用量提高到25～30 g/L,硼酸用量控制在10～ 12 g/L,在化学镀铜和化学镀镍之间增加过渡镍工艺.新工艺有效解决了银质网格膜连续生产稳定性差的问题,实现了批量生产.
关键词:
透明导电膜
,
聚酯/金属网格膜
,
铜
,
镍
,
化学镀
,
银盐
梁朝旭
,
李帅帅
,
王雪霞
,
李延辉
,
宋淑梅
,
杨田林
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件.重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响.制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2％.
关键词:
磁控溅射
,
IGZO
,
非晶薄膜
,
透明导电膜
杨田林
,
张之圣
,
宋淑梅
,
辛艳青
,
姜丽莉
,
李延辉
,
韩圣浩
功能材料
采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO/Ag/GZO(ZnO掺杂Ga_2O_3简称GZO)多层薄膜.X射线衍射谱表明GZO/Ag/GZO多层薄膜是多晶膜,GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向;Ag层是立方结构,具有(111)取向.在GZO层厚度一定的情况下,研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响.研究发现,当Ag层厚度为10nm时,3层膜的电阻率为9×10~(-5)Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到89.7%,薄膜对应的品质因子数值为3.4×10~(-2)Ω~(-1).
关键词:
GZO/Ag/GZO
,
多层膜
,
溅射方法
,
透明导电膜
刘超英
,
左岩
,
许杰
材料导报
掺铝氧化锌(AZO)透明导电薄膜作为一种性能优异的多功能材料引起了研究人员的普遍关注,被认为是当前极具发展潜力的传统铟锡氧化物(ITO)薄膜的替代者.综述了AZO薄膜的不同制备工艺,并叙述了衬底温度、Al掺杂量、氧分压、退火条件、同质缓冲层5个因素对薄膜的结构以及光电性能的影响.针对AZO透明导电薄膜的研究现状,提出了今后的研究方向:理论与经验相结合,优化工艺设备,在提高薄膜透光率的同时进一步降低其表面电阻和制造成本,并不断开拓AZO薄膜新的应用领域.
关键词:
透明导电膜
,
薄膜结构
,
光电特性
,
禁带宽度
,
玻璃基片
季振国
,
陈敏梅
,
张品
,
周强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.02.032
利用直流反应磁控溅射在柔性衬底(聚乙烯对苯二酸脂,PET)上低温沉积了对可见光透明的低电阻率的ZnxCd1-xO薄膜,并研究了Zn含量x对ZnxCd1-xO薄膜的结晶性能、电学性能及光学性能的影响.XRD分析结果表明,当x<0.65时,薄膜为CdO结构,但x>0.65时,薄膜为高度取向的ZnO结构.Hall效应测试显示,当x≤0.5时,薄膜的载流子浓度很高,电阻率为10-3Ω·cm的数量级;迁移率随x增加先增大.在x=0.5处达到极大值,然后随x的增加而降低.紫外可见透射谱表明,掺zn后的ZnxCd1-xO薄膜在整个可见光波段内的透过率远远高于纯CdO薄膜的透过率.综合分析结果表明,x=0.5是低温制备的低阻、高透光性能薄膜的最佳Zn含量.
关键词:
直流磁控溅射
,
柔性衬底
,
ZnCdO薄膜
,
透明导电膜
