齐磊
,
王国祥
,
李双
,
沈祥
,
徐培鹏
,
李军
,
吕业刚
,
戴世勋
,
聂秋华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.04.004
采用磁控溅射法制备了Ge15 Ga10 Te75薄膜,研究溅射工艺对薄膜结构与性能的影响,并分析了在不同热处理温度(200~280℃)退火后薄膜光学特性的变化。通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微拉曼光谱仪、分光光度计等测试手段对热处理前后薄膜样品的微观结构和光学特性进行了表征,结果表明,3次不同工艺下制备的沉积态薄膜组分与靶材偏差较小,且均是非晶态。沉积态薄膜的短波截止波长均在1μm 左右；当退火温度(Ta)大于薄膜的玻璃转化温度(Tg)时,薄膜的光学带隙(Egopt)随着退火温度的增加而逐渐减小,沉积态薄膜的光学带隙分别为1．05,1．06和1．07 eV,而在280℃退火后薄膜光学带隙分别降至0．38,0．42和0．45 eV,以上3次实验结果表明,不同工艺下制备的Ge15 Ga10 Te75薄膜组分均匀可控,热学和光学参数较一致。
关键词:
Ge15 Ga10 Te75
,
磁控溅射
,
XRD
,
SEM
,
透过光谱
,
Raman光谱
,
光学带隙
Taohua HUANG
,
Shengming ZHOU
,
Hao TENG
,
Hui LIN
,
Jun ZOU
,
Jianhua ZHOU
,
Jun WANG
材料科学技术（英文）
γ-LiAlO2 single crystal is a promising substrate for GaN heteroepitaxy. In this paper, we present the growth of large-sized LiAlO2 crystal by modified Czochralski method. The crystal quality was characterized by highresolution X-ray diffraction and chemical etching. The results show that the as-grown crystal has perfect quality with the full width at half maximum (FWHM) of 17.7–22.6 arcsec and etch pits density of (0.3–2.2)×104 cm-2 throughout the crystal boule. The bottom of the crystal boule shows the best quality. The optical transmission spectra from UV to IR exhibits that the crystal is transparent from 0.2 to 5.5 μm and becomes completely absorbing around 6.7 μm wavelength. The optical absorption edge in near UV region is about 191 nm.
关键词:
γ-LiAlO2 crystal
,
提拉法
,
化学腐蚀
,
透过光谱
曾雄辉
,
赵广军
,
杭寅
,
张连翰
,
王静雅
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.030
本文采用中频感应提拉法成功生长了LaAlO3和Ce3+:LaAlO3晶体.沿生长方向即α轴方向切割、抛光后得到实验样品.测试了氢气退火前后纯LaAlO3和Ce3+:LaAlO3从190nm到2500nm的吸收谱和透过谱.测试结果表明:纯LaAlO3晶体在196～220nm处出现宽带吸收,氢气退火后此一波段的吸收系数明显降低;未退火的Ce:LaAlO3晶体在196～209nm,246nm,314nm出现明显的吸收波段,氢气退火后其吸收谱发生显著变化,在198,206,214,246和314nm处出现对应于Ce3+的4f-5d的跃迁吸收;Ce:LaAlO3晶体较之纯LaAlO3晶体在红外区的透过率要高;氢气退火后,Ce:LaAlO3晶体和纯LaAlO3晶体在红外区的透过率下降.
关键词:
Ce:LaAlO3
,
提拉法
,
退火
,
吸收光谱
,
透过光谱
崔启栋
,
李明伟
,
尹华伟
人工晶体学报
首先测量了KDP溶液的亚稳区,并据此开展“点籽晶”KDP晶体快速生长实验.在实验中采用两种晶体运动方法-“二维平动法”和“旋转法”来生长晶体,分别得到尺寸为55 mm×55 mm×48 mm和60 mm×60 mm×45 mm的晶体.将两种运动方式生长的晶体通过透过光谱,锥光干涉图以及化学腐蚀方式进行质量对比.结果表明,两种方式生长的晶体透过光谱没有太大区别,都具有较高的透过率,但“二维平动法”生长的晶体具有较好光学均匀性,位错密度明显降低.说明“二维平动法”生长晶体的方式能够减少晶体内部缺陷,提高晶体质量.
关键词:
KDP晶体
,
“二维平动法”
,
透过光谱
,
锥光干涉图
,
化学腐蚀
宁红霞
,
许东
,
吕孟凯
,
袁多荣
,
王新强
,
张光辉
,
程秀凤
,
杨兆荷
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.008
硫氰酸锌镉(ZnCd(SCN)4),简称ZCTC,是自行研发的一种蓝紫光倍频晶体.通过恒温蒸发溶液来生长ZCTC晶体,测量了KSCN和ZCTC溶液的透过率曲线,发现SCN-基团是影响ZCTC晶体紫外截止波长的主要因素.研究还发现ZCTC晶体(100)面的透过率要高于(001)面,通过化学镀膜可以减少晶体表面反射损耗.ZCTC晶体经180oC,24h烘烤后,在300-800nm之间透过率明显下降.
关键词:
硫氰酸锌镉
,
蓝紫光倍频晶体
,
单晶生长
,
透过光谱
,
增透膜
申传英
,
张娜娜
,
王继扬
,
王奕程
,
于浩海
,
张怀金
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.010
通过不断探索生长工艺及生长参数,采用提拉法成功生长了尺寸约为35 mm× 35 mm×50 mm的Ba2 TiSi2 O8晶体,所得晶体均匀透明无开裂,用绿光激光笔照射,没有明显散射颗粒.表征了晶体质量,并对其透过光谱和室温偏振拉曼光谱性能进行了研究.采用高分辨X射线衍射技术对晶体的质量进行了表征,衍射峰较窄,没有劈裂,且分布对称,说明生长的晶体晶格完整、品质较好,能够满足晶体某些光学方面的需求.用分光光度计测量了晶体的室温透过光谱,晶体[100]方向和[001]方向上的透过率接近,在340～2500 nm范围内其透过率大约为84％,晶体的紫外透过截止波长为275 nm,高的透过率以及短的紫外透过截止波长,表明该晶体可能在光学方面有一定应用.采用共聚焦纤维拉曼光谱仪测量了晶体在背散射X(ZZ)X,X(YY)X,Z(XY)Z和X(YZ)X配置下的室温偏振拉曼光谱,并指认了某些测定的特征峰:662 cm-1属于桥对称伸缩振动vs(Si-O-Si),578,625,749,858,876 cm-1属于v(Ti-O)振动,858,901,930,993和1022 cm-1属于v(SiO3)振动.
关键词:
Ba2TiSi2O8晶体
,
高分辨X射线衍射
,
透过光谱
,
拉曼光谱
武安华
,
周娟
,
徐家跃
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.007
采用坩埚下降法以及坩埚密封技术,成功生长了直径50mm的新型压电晶体Sr3Ga2Ge4O14.测试了晶体的晶格常数、热膨胀系数、密度、硬度和透过光谱等基本物理性能.测试结果表明:晶体热膨胀系数明显小于石英晶体,而且α11和α33相对比较接近,有利于该晶体用作声表面波用基片材料.在250～2500nm波段范围内,其透过率均大于80%,优于相同结构的La3Ga5SiO14晶体,是一种潜在的激光基质晶体材料.
关键词:
Sr3Ga2Ge4O14
,
压电晶体
,
热膨胀系数
,
透过光谱
魏小燕
,
孙晓燕
,
刘长友
,
徐亚东
,
杨睿
,
介万奇
人工晶体学报
采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶ Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征.紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570 ～ 750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收.低温光致发光(PL)谱分析表明,晶体在530 nm附近和595 ～ 630 nm之间出现近带边(NBE)发射和自激活(SA)发射.进一步分析表明,NBE发射由受主束缚激子(A1,X)峰、电子-受主对(e,A)峰和施主-受主对(DAP)发光峰组成.利用Arrhenius公式对变温PL谱上的NBE峰进行拟合,得出样品在低温(＜50 K)和高温(＞50 K)时的热猝灭激活能分别为3.87 meV和59.53 meV.红外荧光谱分析表明,ZnTe∶ Cr晶体的室温荧光发射带为2～2.6 μm,荧光寿命为1.0 ×10-6s.
关键词:
ACRT-Te溶剂法
,
ZnTe∶ Cr晶体
,
透过光谱
,
可见光致发光谱
,
红外荧光谱
黄涛华
,
周圣明
,
滕浩
,
林辉
,
王军
人工晶体学报
采用提拉法成功地生长了高质量的LiGaO2单晶体,生长过程中没有观察到挥发现象.通过四晶X射线衍射、化学腐蚀、光学显微、透过光谱以及原子力显微镜对晶体的质量进行了表征.结果表明:晶体中无包裹物及气泡,具有很高的质量,(001)面晶片的摇摆曲线半高宽仅为16.2 arcsec,正交的(001)、(100)及(010)三个晶面具有不同的腐蚀形貌,其位错密度均低于104/cm2;LiGaO2晶体的吸收边约为220 nm;化学机械抛光后的晶片表面非常光滑,其均方根粗糙度仅为0.1 nm(5×5μm2).
关键词:
提拉法
,
LiGaO2
,
化学腐蚀
,
透过光谱
,
AFM
