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CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究

吴圣灵 , 赵北君 , 朱世富 , 何知宇 , 陈宝军 , 杨辉 , 王小元 , 孙宁

人工晶体学报

对磷硅镉(CdSiP2)单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析,设计出新型的逐层减压坩埚.通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压,平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力,实现逐层减压,从而减小了内层坩埚形变,降低了生长容器爆炸的几率.同时,改进了布里奇曼生长法的降温工...

关键词: 改进布里奇曼法 , CdSiP2晶体 , 逐层减压坩埚