周飞
,
李志章
中国有色金属学报
用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接， 实验考察了保温时间对连接强度的影响。 用SEM， EPMA和XRD对连接界面进行微观分析， 并用扩散路径理论， 研究了界面反应产物的形成过程。 结果表明： 在连接过程中， Cu与Ti相互扩散， 形成Ti活度较高的液相， 与氮化硅发生反应，在界面形成Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4＋TiSi2/TiSi2＋Cu3Ti2(Si)/Cu的梯度层。 保温时间主要是通过影响接头反应层厚度和残余热应力大小而影响接头的连接强度。
关键词:
部分瞬间液相连接
,
氮化硅
,
扩散路径
,
界面反应
,
连接强度
周飞
,
李志章
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.02.014
采用Ti/Cu/Ti多层中间层在1273 K温度下进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接,考察了保温时间对连接强度的影响,并对连接界面进行了SEM,EPMA和XRD分析.结果表明,通过Cu-Ti二元扩散促使液相与氮化硅发生界面反应,形成Si3N4/TiN/Ti5Si3+Ti5Si4+TiSi2/TiSi2+Cu3Ti2(Si)/Cu的梯度层.保温时间影响接头反应层厚度,从而影响接头的连接强度根据活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的界面行为,建立了活性金属部分瞬间液相连接陶瓷的理论模型.该模型较好地解释了Ti/Cu/Ti和Ti/Ni/Ti连接氮化硅陶瓷的异同点和连接工艺参数的选择.
关键词:
活性金属
,
部分瞬间液相连接
,
氮化硅
,
连接强度
,
界面反应
