郭天雷
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赵发展
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刘刚
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海潮和
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韩郑生
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袁国顺
,
李素杰
,
姜明哲
,
张英武
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.011
对辐照加固的部分耗尽(Partially Depleted)SOI 8位微控制器(MCU)的总剂量辐照特性进行研究.该微控制器功能完全兼容intel MCS-51系列的80C51微控制器,采用1.2μm辐照加固的PDSOI CMOS工艺技术制备,芯片尺寸约为6.4mm×6.8mm.对该微控制器及同工艺条件下的MOSFET进行Co60辐照试验表明,在工作电压5V下,其总剂量加固水平高达1×106rad(Si),完全满足航空航天领域应用的要求.
关键词:
部分耗尽SOI
,
微控制器
,
总剂量
,
辐照加固
