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TFT-LCD残影不良的研究与改善

范恒亮 , 汤展峰 , 刘利萍 , 李静 , 黄静 , 刘岩龙

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163103.0270

影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大.本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析.发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110 nm,摩擦强度高于5.5N,m时无残影发生.通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影.通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10%,为企业高效生产奠定基础.

关键词: 残影 , 扭曲向列型 , 配向弱区 , 内部电场

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