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取向硅钢初次再结晶组织结构的研究

吴学亮 , 刘立华 , 史文 , 李莉娟 , 贾金龙 , 翟启杰

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2010.03.007

研究了取向硅钢在初次再结晶过程中的组织和结构变化,包括晶粒长大情况、取向差、重合位置点阵(CSL)及织构的变化.研究表明,820℃盐浴再结晶退火3 s时即完成再结晶,随即发生晶粒长大.在初次再结晶的开始阶段,主要织构是{111}<112>、{100}<110>和弱的高斯织构;随着退火时间增加,{100}<110>织构和高斯织构逐渐减弱,{111}<112>织构先增强后减弱,并向{111}<110>和{111}<231>转化,退火3 min以后出现的{012}<001>织构是一种促进二次再结晶发展并最终有利于提高二次再结晶磁感和降低铁损的织构.退火时间增加到3 min以后,CSL的∑3晶界比例增加.退火时间增加到30 min时,CSL的∑1晶界比例增加,同时,小角度晶界比例提高,大角度晶界减少.

关键词: 取向硅钢 , 初次再结晶 , 织构 , 取向差 , 重合位置点阵

CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响

孙红婵 , 李树奎 , 侯岳翔 , 鲁旭东 , 郭伟

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.06.020

为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对品界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验.结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中∑3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料.研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使品粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变.

关键词: 化学气相沉积纯钨 , 晶界结构 , 重合位置点阵 , 晶粒择优取向

大变形退火超细晶铜中的晶界特征分布

周蕾 , 史庆南 , 蔡晓兰 , 王军丽

材料热处理学报 doi:10.13289/j.issn.1009-6264.2017-0001

采用背散射电子衍射(EBSD和透射电镜(TEM)研究了纯铜大变形异步累积叠轧与再结晶过程中的低重合位置点阵(ΣCSL)晶界演化过程.研究表明:纯铜在600℃长时间均匀化退火时,形成大量较长的平直共格Σ3晶界,并作为大角度晶界阻碍晶粒的异常长大;在随后的大变形异步累积叠轧中,随着晶粒转动,形变组织的形成,低ΣCSL晶界的逐渐减少;再结晶退火中形成大量超细孪晶,同时形成大量Σ3特殊晶界,并与高ΣCSL晶界反应,形成大量低ΣCSL晶界,Σ1小角度晶界迅速增多,阻断一般大角度晶界网络,表明Σ3晶界的反应是大变形+退火纯铜晶界特征分布(GBCD)的优化机制.

关键词: , 异步累积叠轧 , 再结晶 , 重合位置点阵 , 晶界特征分布

晶界设计在多晶体金属材料中的应用

吴杰 , 陈善华 , 卢伢 , 管登高 , 邹丛沛 , 邱绍宇

材料导报

对多晶体金属材料的晶界结构进行设计,能够显著提高这类材料的力学、化学及磁学性能.因此,晶界设计已成为金属材料改性的一项重要技术.对晶界设计的基本理论进行了介绍,在此基础上综述了近年来这项技术的应用研究概况,并提出了未来的进一步研究方向.

关键词: 晶界设计 , 重合位置点阵 , 形变热处理工

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