张红娣
,
郝秋艳
,
张建峰
,
张建强
,
李养贤
,
刘彩池
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.019
本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.
关键词:
重掺杂硅单晶
,
热处理
,
内吸除
