周强
,
苑宝玲
,
许东兴
,
付明来
催化学报
doi:10.3724/SP.J.1088.2012.11214
以纳米颗粒TiO2 (P25)为原料,采用水热合成法制备了具有锐钛矿晶型的TiO2纳米管(TNTs),考察了水热反应温度和焙烧温度对TNTs形貌和结构的影响.以具有双官能团结构的有机分子2-巯基丙酸为偶联剂,采用原位合成和在线组装的方法将CdS量子点(QDs)负载于TNTs上,制得了CdS/TNTs可见光催化剂,研究了2-巯基丙酸浓度对CdS负载量和CdS/TNTs光催化活性的影响.结果表明,在水热温度为150℃,焙烧温度为400℃的条件下,可制得管径为8～10 nm,管壁为2～3 nm,管长为数百纳米的锐钛矿型TNTs.经CdS QDs修饰后,TNTs的吸收阈值拓展至580 nm,在模拟可见光照射下,CdS/TNTs表现出优异的光催化降解罗丹明B性能.
关键词:
二氧化钛
,
纳米管
,
光催化剂
,
硫化镉
,
量子点
,
罗丹明B
,
2-巯基丙酸
,
降解
王连军
,
周蓓莹
,
顾士甲
,
江莞
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160188
由于具有高透过率、优异的化学稳定性和易于机械加工等优势,硅基氧化物玻璃是一种理想的基质材料.通过引入不同的发光组分,获得不同光学性能的光功能玻璃被广泛应用于多个领域.然而,这些发光组分在玻璃制备过程中易挥发、分解,稳定性较低,所以功能发光玻璃的制备技术仍面临着新的挑战.本文综述了掺杂铋离子、量子点及荧光粉硅基发光玻璃的发展现状及其制备技术.通过比较高温熔融法、溶胶-凝胶法、固相烧结法及放电等离子体烧结技术(简称SPS)的优缺点,本文着重介绍了SPS技术应用于发光玻璃制备的研究进展及优势,并对这种新制备技术的发展趋势进行了评述和展望.
关键词:
硅基玻璃
,
铋元素
,
量子点
,
荧光粉
,
放电等离子体烧结技术
,
发光材料
,
综述
陈秀秀
,
刘福田
,
姜庆辉
,
王群
,
孙莉
,
王冬至
人工晶体学报
采用外延生长法在低于 ZnS 晶体成核温度(120 ℃)的条件下,通过在ZnSe 量子点表面生长 ZnS,制备出结晶良好的 ZnSe/ZnS 核壳型量子点.通过 X 射线衍射(XRD),透射电镜分析(TEM)证实了核壳结构的生成.通过荧光光谱和紫外-可见光吸收光谱分析证实,核壳结构的形成改善了 ZnSe 量子点的荧光特性.通过改变反应温度、反应时间、反应物的用量等实验参数,可得到不同厚度ZnS壳层包覆的核壳型量子点.所制备的ZnSe/ZnS量子点具有良好的水溶性,可以分散形成稳定、澄清的水溶液.在紫外灯的照射下,溶液呈现明亮的蓝绿色荧光.
关键词:
ZnSe/ZnS
,
核壳型结构
,
量子点
,
外延生长法
张利杰
,
顾银君
,
马倩
,
刘勇健
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.11.016
采用共沉淀法制得Fe3O4溶胶,用γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷(KH-560)对其表面进行改性,制得有机硅改性的纳米Fe3O4磁性粒子；用L-半胱氨酸盐酸盐(L-Cys)将油相的CdSe/CdS转成水相并带上氨基的CdSe/CdS纳米晶；将其复合制备了Fe3O4/CdSe/CdS荧光磁性双功能纳米复合物颗粒.该Fe3O4/CdSe/CdS复合物颗粒平均尺寸约为40nm,饱和磁化强度为21.287A·m2/kg,该纳米粒子既具有优异的荧光特性,也具有较强的超顺磁性.
关键词:
双修饰
,
磁性
,
量子点
,
双功能纳米结构
许荣辉
,
汪勇先
,
徐万帮
,
尹端沚
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.020
以醋酸镉、L-半胱氨酸为主要原料,采用水热法制备了尺寸小于10nm、具有强光致荧光的纤锌矿结构CdS半导体纳米晶.水热法可以将晶核形成与晶体生长阶段较好地分开,加之提供的高温熟化条件,可以得到粒度小而均匀、结构良好的纳米晶.用高分辨透射电镜(HRTEM)、XRD对产品的晶体大小、结构进行了详细地表征,分析了影响纳米晶尺寸的因素,用相关性较好的荧光激发与发射光谱研究了硫化镉纳米晶的光致荧光性能.制备的硫化镉(CdS)纳米晶结构良好、粒度均匀、荧光激发专一,最大激发波长在338nm,其发射荧光的波长位于419nm,发射强度大.
关键词:
CdS纳米晶
,
水热法
,
荧光
,
量子点
唐爱伟
,
滕枫
,
高银浩
,
梁春军
,
王永生
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00322
以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了CdSe与核/壳型CdSe/CdS量子点水溶胶, 用紫外-可见吸收光谱和发射光谱研究了它们的发光特性, 并且用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)表征了它们的结构、形貌和化学组成, 结果表明使用该方法制备的量子点分散性良好, 而且用CdS对CdSe进行表面修饰以后的发光强度明显提高, 发射光谱和吸收光谱都有红移现象, 不同粒径颗粒的吸收峰的位置也有所不同.
关键词:
量子点
,
aqueous solution
,
preparation
,
characterization
孙彦
,
方志丹
,
龚政
,
苗振华
,
牛智川
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.040
研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差.
关键词:
量子点
,
应力缓冲层
,
半高宽
,
光致荧光谱
董逊
,
黄劲松
,
黎大兵
,
刘祥林
,
徐仲英
,
王占国
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.007
用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序.形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点).伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导.进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性.
关键词:
AlInGaN
,
时间分辨
,
量子点
,
局域态
岳文瑾
,
聂光军
材料导报
介绍了CuInS2量子点的合成方法及在几种结构的太阳电池(如全无机纳米结构太阳电池、染料敏化电池及聚合物太阳电池)中的应用,尤其是针对聚合物太阳电池,分析了器件效率低的原因并提出了提高该类太阳电池效率的方法.
关键词:
CuInS2
,
量子点
,
合成
,
太阳电池
徐力
,
郭轶
,
解仁国
,
庄家骐
,
王连英
,
杨文胜
,
李铁津
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.019
利用水相中直接合成的 CdS纳米晶,与牛血清白蛋白( BSA)进行偶连标记.通过分子筛层析 对标记后的牛血清白蛋白进行纯化,在紫外灯下即可观察到标记蛋白的荧光.对 CdS纳米晶标记 后的牛血清白蛋白的荧光光谱的研究表明,标记蛋白后的 CdS纳米晶其荧光无明显淬灭.
关键词:
量子点
,
偶连标记
,
牛血清白蛋白
,
CdS纳米晶
