中国材料进展
中国材料研究学会超硬材料及制品专业委员会在北京正式宣布成立。并同期举行了“中国超硬材料发展论坛暨第5届中国金刚石相关材料及应用学术研讨会”。参会代表达到160多人，成为“2011北京材料周”系列活动——中国材料研讨会上规模最大，人数最多的一个分会。黄伯云院士等参加了成立大会并发言。分会共计交流论文27篇，展出墙报17篇。
关键词:
超硬材料
,
专业委员会
,
制品
,
材料研究学会
,
学术研讨会
,
材料发展
,
中国
,
金刚石
臧建兵
,
王明智
,
王艳辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1998.01.017
用恒沸水解方法(BH)制备了颗粒度均一(0.1μm)的纳米晶(9nm)2.2mol%Y2O3-ZrO2(以下简称:2.2Y-ZrO2),用化学共沉淀方法(CP)制备了松散团絮状的纳米晶(20nm)2.2Y-ZrO2.对这两类ZrO2粉体增韧SiC中介金刚石超硬复相陶瓷进行了XRD、SEM、及韧性、耐磨性分析测定.结果表明,超高压烧结后,水解法ZrO2在SiC中介相内以均一的粒度(0.1μm)均匀分布,并以100%t相存在,断裂时t→m相变量达38vol%,冲击韧性达16.8J/cm2,磨耗比为5.5×104.而化学沉淀法制备的ZrO2在SiC中介相内呈不均匀粒度分布,t相存量62vol%,断裂过程t→m相变量为17vol%.耐磨性和韧性较低.
关键词:
ZrO2团聚
,
超高压
,
金刚石
,
碳化硅
,
增韧材料
,
水解法
,
化学共沉淀法
王美娟
,
王日初
,
彭超群
,
冯艳
,
张纯
中国有色金属学报
采用循环伏安(CV)和恒电位阶跃(CA)等电化学技术,研究金刚石粉体对Ni电结晶形核/生长的影响,并通过扫描电镜观察复合镀层的表面形貌.结果表明:在Ni?金刚石复合镀液中,金刚石粉体吸附在阴极表面,对阴极产生屏蔽作用,Ni2+的有效放电面积减小,阻碍电荷转移,使复合镀液在循环伏安曲线中的还原电流降低;金刚石粉体缩短了Ni电结晶的形核驰豫时间(tmax),形核过电位正移,促进Ni电结晶形核;电镀时间越长,金刚石复合量越小,镀层表面越粗糙;Ni?金刚石复合镀液和纯Ni镀液的Ni电结晶形核可能为多晶沉积.
关键词:
金刚石
,
复合电镀
,
Ni
,
电结晶
,
形核
,
生长
,
多晶沉积
刘其军
,
刘正堂
,
闫锋
电镀与涂饰
为了提高金刚石的红外透过率,根据光干涉膜基础理论对薄膜增透进行了设计,获得了增透膜系的相关参数,并采用非规整设计中的彻底搜索法对所设计的膜系进行了增透效果分析.结果表明,在金刚石衬底上单面和双面镀Y_2O_3膜系后,透过率有明显提高.Y_2O_3膜系是性能优异的金刚石红外光学材料增透膜.
关键词:
金刚石
,
氧化钇
,
薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
增透
,
红外透过率
,
设计
唐卫平
,
赵晓洋
绝缘材料
以不饱和聚酯改性环氧树脂为基体，采用硅烷偶联剂表面改性后的金刚石、碳化硅和氧化铝微粉为填料分别制备高导热绝缘漆，分析3种填料对绝缘漆的防沉淀性、导热系数、击穿电压和粘度的影响，采用3种改性填料复合制备了一种高导热绝缘漆，并在低压电机的整机上进行应用试验。结果表明：加入未改性填料的绝缘漆易产生沉淀现象，而加入硅烷偶联剂表面改性填料的绝缘漆储存稳定性好，不易沉淀；添加改性后的金刚石、碳化硅和氧化铝微粉填料后的绝缘漆，其导热系数随微粉含量的增加均有所提高、电气强度随微粉含量的增加而降低、粘度随微粉含量的增加而增大；3种改性填料复合使用制备的高导热绝缘漆导热系数可达0.432 W/(m·K)，粘度69 s，电气强度23.4 MV/m。电机温升同比下降7 K，电机效率提高0.97%。
关键词:
高导热
,
绝缘漆
,
硅烷偶联剂
,
金刚石
,
碳化硅
,
氧化铝
,
导热系数
帅和平
电镀与涂饰
对金刚石/铜基复合材料表面化学镀预处理过程中的粗化工艺进行了研究,开发了一种JG-01型粗化液,其组成为:亚硝酸钠5 g,氢氧化钠5 g,三乙醇胺0.3 g,过氧化碳酰胺0.4 g,高铁酸钾0.5 g,去离子水88.8 g.采用扫描电镜分析以及结合力、耐热性等测试方法对比研究了该新型粗化工艺和传统粗化工艺对金刚石/铜基复合材料化学镀镍层表面形貌和性能的影响.与传统粗化工艺相比,新工艺对金刚石/铜基复合材料表面具有更好的粗化效果,粗化后得到的镍镀层平整、光亮,结合力和耐热性好.新的粗化工艺有效地解决了传统粗化工艺存在的漏镀以及镀层光亮性、结合力和耐热性差等问题.
关键词:
金刚石
,
铜
,
复合材料
,
化学镀镍
,
粗化
,
结合力
,
耐热性
王传新
,
汪建华
,
满卫东
,
王升高
,
马志斌
,
康志成
,
吴素娟
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2003.02.003
在微波等离子体化学气相沉积装置中,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si(100)面上的偏压形核过程中,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响,研究结果表明:形核密度随形核时间的增加而增加,适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核,而甲烷浓度的影响很小.正交试验所得的最佳形核条件为偏压-150V;时间12min;气压4kPa;CH4比率5%,在该条件下金刚石的形核密度达到1010个/cm2.
关键词:
化学气相沉积
,
正交试验
,
金刚石
,
形核
臧传义
,
马红安
,
肖宏宇
,
田宇
,
贾晓鹏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.034
利用温度梯度法生长宝石级金刚石单晶过程中,由于籽晶接收碳源能力有限,单一晶种将很难完全吸收扩散下来的碳源,因而导致籽晶的粒度对晶体生长速度和品质都会产生很大影响.随着籽晶粒度的增大,晶体的生长速度增幅非常明显,但不是粒度越大越好,存在临界粒度,超过临界粒度,优质单晶就很难生长.以NiMnCo触媒为例,籽晶粒度由0.5mm增加到2.0mm后,晶体的生长速度可由1.0mg/h提高到3.0mg/h,但籽晶粒度超过2mm后,晶体内部包裹体大幅度增加.
关键词:
金刚石
,
温度梯度法
,
籽晶
,
临界粒度
,
生长速度
林晓棋
,
满卫东
,
张玮
,
吕继磊
,
江南
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.10.009
单晶金刚石具有诸多多晶金刚石所无法替代的优良性能,是新世纪高端技术领域发展所需的重要材料.随着技术的不断改进,MPCVD法合成单晶金刚石的生长速率、质量和尺寸都有了很大的提高.目前,应用最新的MPCVD技术合成的单晶金刚石,其最高生长速率达到200 μm/h,合成尺寸达到英寸级,为单晶金刚石在超精密加工、光学元器件、半导体、探测器等高技术领域的应用提供了有力的支撑.本文主要综述了进入二十一世纪以来,MPCVD单晶金刚石的研究进展,并对其应用作简单的介绍.
关键词:
MPCVD
,
金刚石
,
单晶
,
lift-off
,
马赛克
