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辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响

孙心瑗 , 周灵平 , 李绍禄 , 李德意 , 张刚 , 陈本敬

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.022

在热丝化学气相沉积金刚石系统中,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体,对衬底施加正负偏压形成电子促进,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响.结果表明,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下,等离子体可明显增强金刚石的生长,其生长速率约为纯热丝法的三倍;而正偏压对等离子体辅助沉积金刚石不仅没有增强形核作用,而且抑制金刚石的生长;电子促进法可以显著提高金刚石的成核密度,但并不能提高金刚石生长速率.

关键词: 金刚石多晶球 , 生长速率 , 等离子体增强 , 偏压 , 热丝化学气相沉积

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