俞波
,
盖红星
,
韩军
,
邓军
,
邢艳辉
,
李建军
,
廉鹏
,
邹德恕
,
沈光地
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.015
使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.
关键词:
光电子学
,
半导体激光器
,
应变量子阱
,
金属有机化学气相淀积
