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CMOS器件用金属栅材料的研究进展

蔡苇 , 符春林 , 邓小玲 , 程文德

金属功能材料

传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅.本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点.最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题.

关键词: 金属栅 , 综述 , 多晶硅 , 性能

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