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高介电栅介质材料研究进展

武德起 , 赵红生 , 姚金城 , 张东炎 , 常爱民

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.001

传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速,本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.

关键词: 高介电栅介质 , 晶化温度 , 低介电界面层 , 金属栅电极