黄伟其
,
秦朝建
,
许丽
,
吴克跃
材料科学与工程学报
由Si-H键钝化的多孔硅的光致荧光(PL)发光频移遵循量子受限效应,随着纳米结构尺寸的变小PL发光频率从红外蓝移到紫外.多孔硅被氧化后,PL发光带的中心波长被钉扎在700nm～750nm范围,且强度明显增加.计算表明,氧化后的Si=O键或Si-O-Si键能在展宽的导带下方形成电子陷阱态.由此提出量子受限与氧化陷阱态模型可以很好地解释PL发光的钉扎和增强效应.该模型中的电子陷阱态扮演了重要的角色.
关键词:
光致荧光
,
多孔硅氧化
,
钉扎和增强效应
,
电子陷阱态
