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郭冬云 , 王耘波 , 于军 , 王雨田 , 王宝义 , 魏龙
功能材料
利用sol-gel方法在p-Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜.测量不同退火温度下得到的In/BTO/p-Si结构的C-V曲线,测量结果表明制备的MFS结构钛酸铋薄膜在合适的制备工艺下可望实现极化型存储.
关键词: MFS结构 , 钛酸铋薄膜 , C-V特性
