刘畅
,
苑帅
,
张海良
,
曹丙强
,
吴莉莉
,
尹龙卫
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150455
γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种带隙为3.1 eV的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件.本研究利用简单的铜膜碘化法制备了CuI薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响.在最优碘化时间(30 min)和碘化温度(120℃)下,制备出了高透过率(可见光范围＞75％)、导电性能好(电阻率4.4×10-2Ω·cm)的CuI薄膜.利用CuI薄膜作为空穴传输层,组装了CuI/CH3NH3PbI3/PCBM反型平面钙钛矿电池,获得的最高光电转换效率为8.35％,讨论了CuI薄膜透明导电性能对钙钛矿电池光电转换效率的影响机理.
关键词:
碘化亚铜
,
铜膜碘化法
,
透明导电
,
反型钙钛矿太阳能电池
