郭健勇
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常钢
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邓泽燕
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尚勋忠
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何云斌
材料导报
三元系铜铟硫CuInS2 (CIS)以其良好的光伏性能,成为太阳能电池领域的研究热点.从CIS结构出发,综述了CIS纳米材料合成的物理、化学方法,主要包括高温热解法、热注入法、水热和溶剂热法等化学方法以及微波加热等方法,并讨论了各方法的优缺点,最后展望了CIS纳米材料的发展趋势.
关键词:
三元系
,
铜铟硫
,
纳米材料
,
太阳能电池
颜畅
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刘芳洋
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赖延清
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李轶
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李劼
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刘业翔
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01287
采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基底上制备了太阳电池用CuInS2薄膜.以X射线能量色散谱仪、扫描电镜、X射线衍射仪、冷热探针和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征.结果表明,薄膜成分可通过调整Cu靶和In靶的功率比PCu/PIn来进行调控；而薄膜形貌则取决于靶功率比和薄膜的成分.随着Pcu/PIn的增大,薄膜物相由富铟相向CuInS2转变.对于CuInS2薄膜,提高铜铟原子比[Cu]/[In]可改善薄膜的结晶质量.但当薄膜富铜时,过高的[Cu]/[In]又会导致薄膜结晶质量的下降.当CuInS2薄膜为富铜与略微贫铜时,其导电类型为P型；且载流子浓度随[Cu]/[In]增加而增大,并远高于其它贫铜薄膜.CuInS2薄膜的载流子迁移率明显高于富铟相薄膜；且随着[Cu]/[In]的提高,CuInS2薄膜的载流子迁移率呈上升趋势,而电阻率则迅速下降.
关键词:
反应磁控溅射
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铜铟硫
,
太阳能电池
,
电学性质
,
薄膜
