曹章轶
,
吴敏
,
张冬冬
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201508014
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系.结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响.
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
衬底温度
,
低温生长
,
结晶质量
林璠
,
孔慧
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201601002
首先采用热蒸发法在镀钼的 PI 衬底上沉积 NaF 薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积 NaF 的 PI 衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对 CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明：随着第二步沉积速率增大,CIGSe 薄膜的晶粒尺寸显著增大,(220/204)择优取向生长逐渐增强；随着钠掺杂量增加,CIGSe 薄膜的电阻率显著下降,晶粒尺寸逐渐减小,择优取向从(220/204)织构方向转变为(112)织构方向,并出现镓的两相分离现象。
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
沉积速率
,
钠掺杂
,
低温生长
