高美珍
,
辛科
,
张锋
,
孙惠娜
材料导报
以InCl3*4H2O、SnCl4*5H2O、乙酰丙酮为原料,采用溶胶-凝胶旋涂工艺在普通玻璃基底上制备了ITO薄膜,每次旋涂之后,将样品放在260℃的烘箱中干燥15min,然后进行第二次旋涂,最后在300℃对样品进行热处理.随着退火时间的延长,XRD衍射结果表明,薄膜的结构由退火前的InOCl的简单斜方结构转变为ITO的立方铁锰矿结构.当热处理时间为22h时,薄膜的方块电阻达到最小值1500Ω/□,电阻率为6×10-2Ω·cm,而可见光范围透过率达到最大值83%.
关键词:
铟锡氧化物
,
薄膜
,
溶胶-凝胶
,
热处理
李世涛
,
乔学亮
,
陈建国
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0～10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜.紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构.结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9 sccm时,透射率超过80%(波长λ=400 nm～700 nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善.XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物.
关键词:
磁控溅射
,
铟锡氧化物
,
透明导电薄膜
,
氧流量
季振国
,
赵丽娜
,
何作鹏
,
陈琛
,
周强
无机材料学报
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜. 主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响. 结果表明, 当In/Sn比较小
时, 薄膜为金红石结构的二氧化锡, 导电类型为n型; 当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时, 薄膜仍为金红石结构, 但导电类型转为p型的; 当In/Sn比超过0.3时,
薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成, 由于氧空位的存在, 薄膜又转变为n型. 因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜, In/Sn比不宜过低, 也不能过高. 热处理温度对薄膜的导电类
型也有影响, 对于In/Sn=0.2的薄膜, 温度低于550℃时薄膜为n型导电, 但当热处理温度高于550℃时, 由于In3+取代Sn4+, 因此薄膜为p型导电. 当热处理温度高于700℃
时, 薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3, 与此同时, 透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
关键词:
铟锡氧化物
,
transparent conducting
,
spray pyrolysis
,
p-type doping
刘喜波
,
陈派明
,
杨硕
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2011.03.008
研究了铟锡氧化物(ITO)粉末退火后的组织和结构,比较了不同状态的粉末和制备工艺对ITO靶材的影响.结果表明,纳米ITO粉末在800℃以下具有体心立方In2O3结构,1100℃退火后由In2O3和SnO2两相组成;ITO粉末经过喷雾造粒后,形成了实心球形颗粒并具有合理的颗粒级配,通过气氛烧结可以制备出高密度优良的ITO靶材.
关键词:
铟锡氧化物
,
退火
,
喷雾造粒
,
靶材
季振国
,
赵丽娜
,
何作鹏
,
陈琛
,
周强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.035
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
关键词:
铟锡氧化物
,
透明导电薄膜
,
p型导电
,
喷雾热解
姚雨
,
靳彩霞
,
董志江
,
孙卓
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.008
应用ICP干法刻蚀工艺和自然光刻技术,制备了ITO表面粗化的GaN基LED芯片.聚苯乙烯纳米颗粒在于法刻蚀中作为刻蚀掩膜.通过扫描电镜(SEM)观察ITO薄膜的粗糙度,并且报道了优化的粗化工艺参数.结果表明,ITO表面粗化的GaN基LED芯片同传统的表面光滑的芯片相比在20 mA的驱动电流下,发光强度提高了70%.
关键词:
GaN基发光二极管
,
铟锡氧化物
,
表面粗化
,
自然光刻
王守坤
,
郭总杰
,
袁剑峰
,
林承武
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0355
对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析.结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题.通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良.
关键词:
铟锡氧化物
,
薄雾不良
,
边缘场开关薄膜晶体管
,
等离子体化学气相沉积
,
氮化硅膜
,
透过率
齐天骄
,
邓建国
,
黄奕刚
材料科学与工程学报
在纳米铟锡氧化物纳米粉体应用中悬浮液分散稳定是一个十分重要的问题.本文采用化学改性的方法,分别用阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、非离子表面活性剂和硅表面活性剂对铟锡氧化物进行表面修饰以改进其悬浮液的稳定性.结果表明,除阳离子表面活性剂外,其他表面活性剂均可以使纳米铟锡氧化物在特定的分散体系中得到很好的分散,纳米铟锡氧化物悬浮液稳定性良好.
关键词:
表面活性剂
,
铟锡氧化物
,
悬浮液
