武晓威
,
冯玉杰
,
刘延坤
,
韦韩
材料科学与工艺
采用液相共沉淀法制备了ZAO掺杂半导体粉末材料,系统研究了制备工艺对ZAO粉末红外发射率的影响.借助于TG-DTA、XRD、SEM对材料的热处理温度,晶体结构及表面形貌进行了考察,利用IR-2双波段发射率测量仪对ZAO粉末材料的红外发射率进行了测试.研究结果表明:当反应物终点pH值为8.5、反应时间为2.5 h、煅烧温度为800℃,煅烧时间为2 h、Al2O3的掺杂量为3%时所得的ZAO粉末的红外发射率最低;ZAO掺杂半导体粉末的晶体结构为ZnO的铅锌矿结构;粒子形状近似为椭圆形,平均粒径为5～10 μm;在中红外(3～5 μm)和远红外(8～14 μm)波段均具有较低的红外发射率.
关键词:
红外隐身
,
半导体材料
,
锌铝氧化物(ZAO)
,
红外发射率
