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崔继锋 , 叶志镇 , 吴贵斌 , 赵炳辉
材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.023
采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.
关键词: 锗硅 , 拉曼 , 高分辨XRD , 应变驰豫 , 热应变
薛忠营 , 张波 , 魏星 , 张苗
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.005
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态.通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用...
关键词: 外延 , 应变 , 锗硅 , SOGI
