黄海宾
,
沈鸿烈
,
吴天如
,
张磊
,
岳之浩
功能材料
对高H2稀释比条件下热丝CVD法制备GeSi薄膜的工艺参数对薄膜的键结构的影响进行了研究.用Raman谱和FT-IR谱对薄膜中非极性键(Ge-Ge、Ge-Si和Si-Si)相对含量的变化和极性键(Ge-H、Ge-H2、Si-H等H键)相对含量的变化进行了分析.研究结果表明,热丝CVD工艺参数对制备的GeSi薄膜中非极性键和极性键的影响规律是不同的.热丝温度和锗烷硅烷流量比(RS/G)对非极性键相对含量的变化均有影响.随着热丝温度上升Ge-Si和Si-Si相对含量均增加.随着RS/G增加Si-Si相对含量一直增加,Ge-Si相对含量先增加,当RS/G＞1.4时开始下降.但热丝温度和RS/G对H键的影响规律有很大不同:随着RS/G增加,Si-H键的相对含量增加,Ge-H和Ge-H2键的相对含量减少,而热丝温度对H键相对含量基本无影响.
关键词:
热丝CVD
,
锗硅薄膜
,
键结构
,
热丝温度
,
锗烷硅烷流量比
王光伟
,
郑宏兴
,
马兴兵
,
张建民
,
曹继华
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.001
在覆盖SiO2的n-Si(100)衬底上,采用等离子体增强化学沉积法(PECVD)制备Si1-xGex薄膜材料.薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱(AES)测定.对Si1-xGex进行热退火处理,以考察退火温度和时间对薄膜特性的影响.薄膜的物相通过X射线衍射(XRD)确定.基于XRD图谱,利用Scherer公式计算平均晶粒大小.Si1-xGex薄膜载流子霍尔迁移率由霍尔效应法测定.数值拟合得到霍尔迁移率与平均晶粒尺寸为近线性关系,从而得出PECVD-Si1-xGex薄膜的电输运特性基本符合Seto模型的结论.
关键词:
锗硅薄膜
,
等离子体增强化学沉积
,
热退火
,
晶相成核与生长
