叶飞
,
许斐范
,
刘金美
,
谭毅
材料导报
B和O是太阳能级多晶硅中的主要非金属杂质,它们经常以B-O原子对的形式存在.利用第一性原理计算方法,通过对比B-O对在真空、B2 O3和硅中的键合状态,理解Si环境对B-O键合特征的影响.计算结果表明,在这3种原子环境中,O原子的s和p轨道对键合的贡献都比B原子的s和p轨道大得多.其中,在真空中主要...
关键词:
第一性原理
,
多晶硅
,
杂质
,
态密度
,
键合
杨道虹
,
徐晨
,
董典红
,
金文贤
,
阳启明
,
张剑铭
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.020
运用Nd:YAG激光在功率300W、光束运动速度为0.05m/s、光束直径为700μm的条件下能得到键合强度平均为9.3MPa的硅/玻璃熔融键合效果.该键合方法能进行选择区域键合,完全避免了由于键合过程中电场给超薄敏感可动微结构带来的畸变甚至失效,为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础.
关键词:
MEMS
,
Nd:YAG激光
,
硅/玻璃
,
键合
门传玲
,
徐政
,
安正华
,
张苗
,
林成鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.001
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜.以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满...
关键词:
AlN薄膜
,
键合
,
SOI
,
离子束增强沉积
薛向尧
,
张平
,
黎海文
,
刘永顺
,
吴一辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.005
为了实现室温、常压下聚二甲基硅氧烷(PDMS)与硅的键合,本文利用氧等离子体分别对PDMS、硅进行表面改性处理.考察了等离子体射频电源功率、处理时间、氧气流量对PDMS-硅键合强度的影响.通过优化工艺适当降低PDMS表面被氧化的程度,可使PDMS活性表面的持续时间延长至45分钟,实现了PDMS-硅在...
关键词:
氧等离子体
,
聚二甲基硅氧烷(PDMS)
,
键合
,
XPS
王雪松
,
叶俊伟
,
庞洪昌
,
贡卫涛
,
林源
,
宁桂玲
功能材料
以水镁石、多聚磷酸和月桂胺为原料,通过对微米级水镁石颗粒表面改性和包覆多聚磷酸胺盐制备了具有核-壳结构的水镁石有机无机复合阻燃剂,通过X射线粉末衍射、红外光谱、热失重、扫描电子显微镜对合成产物的物相和形貌进行了表征.悬浮实验结果表明制备的水镁石基复合阻燃剂产品呈疏水性,表面极性的改变大大提高了复合阻...
关键词:
水镁石
,
复合阻燃剂
,
多聚磷酸胺
,
键合
刘玉岭
,
王新
,
张文智
,
徐晓辉
,
张德臣
,
张志花
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.01.004
研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅/硅键合的一整套新技术(代替通用的亲水法);实现了键合层无孔洞,边沿键合率达98%以上,键合强度达2156Pa以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿.
关键词:
硅
,
锗
,
键合
,
机理
丁继亮
,
常洪龙
,
陈方璐
,
洪水金
,
苑伟政
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.002
聚二甲基硅氧烷(PDMS)的表面改性与键合是微流控芯片制作中的关键技术之一.本文比较分析了PDMS常用表面改性方法的优缺点,利用电晕放电仪在常温环境下产生的氧等离子体实现了对PDMS表面改性及不可逆键合,优化了电晕放电仪的表面处理参数,重点测试了PDMS分别与PDMS和PMMA之间的键合强度.并与紫...
关键词:
PDMS
,
表面改性
,
键合
,
微流控
何进
,
陈星弼
,
王新
功能材料
亲水处理是硅片能否直接健合成功的关键.基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,本文提出了独特的三步亲水处理法.这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiO体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍,结果获得了理想的键合界面.
关键词:
硅片
,
键合
,
亲水处理
,
界面
