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La_2/3Sr_1/3MnO₃/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究

金克新 , 赵省贵 , 谭兴毅 , 陈长乐

无机材料学报 doi:10.3724/sp.j.1077.2009.00591

利用脉冲激光沉积的方法在Si（100）氧化成SiO₂的基片上制备了(La_2/3Sr_1/3MnO₃)_x/(ZnO)_1-x混合物薄膜，研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明，除了衬底SiO₂的衍射峰以外，分别出现了La_2/3Sr_1/3MnO₃（101）的衍射峰和ZnO（002）的衍射峰，且它们形成了两相共存体系. 实验表明：x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性，而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下，x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明，在La_2/3Sr_1/3MnO₃和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层，且产生了界面缺陷态.

关键词: 锰氧化物颗粒薄膜 , magnetoresistance , currentvoltage characteristics

La2/3Sr1/3MnO3/ZnO混合物薄膜的磁电阻和伏安特性研究

金克新 , 赵省贵 , 谭兴毅 , 陈长乐

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00591

利用脉冲激光沉积的方法在Si(100)氧化成SiO2的基片上制备了(La2/3Sr1/3MnO3)x/(ZnO)1-x混合物薄膜,研究了薄膜的磁电阻和伏安特性. X射线衍射分析表明,除了衬底SiO2的衍射峰以外,分别出现了La2/3Sr1/3MnO3(101)的衍射峰和ZnO(002)的衍射峰,且它们形成了两相共存体系. 实验表明:x=0.3的混合物薄膜表现为半导体导电特性,而x=0.4的样品则出现了典型的金属绝缘相变. 所制备的样品表现出了低场磁电阻效应和非线性伏安特性. 在0.7T磁场的作用下,x=0.3的样品在温度为60K时取得的最大磁电阻值为28.8%. 通过对伏安关系拟合表明,在La2/3Sr1/3MnO3和ZnO颗粒之间存在一定的耗尽层,且产生了界面缺陷态.

关键词: 锰氧化物颗粒薄膜 , 磁电阻效应 , 伏安特性

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