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镀碳石英坩埚生长ZnGeP2单晶体

赵欣 , 李梦 , 朱世富 , 吴小娟

人工晶体学报

在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键.本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜.采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双层坩埚中成功生长出φ20 mm× 50 mm外观完整,无裂纹的ZnGeP2...

关键词: 磷锗锌 , 单晶生长 , 镀碳 , 双层坩埚

红外非线性晶体CdGeAs2多晶合成

戚鸣 , 吴海信 , 王振友 , 黄昌保 , 倪友保 , 张春丽

人工晶体学报

高纯度的多晶对生长优质单晶起着至关重要的作用.原料对石英坩埚的腐蚀,以及偏离化学计量生成的二元、三元中间相均会严重影响CdGeAs2多晶的纯度和质量.本文以载气携带丙酮在石英坩埚内壁镀上高质量碳膜,解决了原料对石英坩埚的腐蚀问题;并在双温区炉中设计了合理的温场,合成了CdGeAs2多晶料.经X射线粉...

关键词: CdGeAs2 , 镀碳 , 多晶合成 , 双温区 , 晶胞精修

CdZnTe晶体生长用石英管的镀碳工艺研究

闵嘉华 , 桑文斌 , 钱永彪 , 李万万 , 刘洪涛 , 樊建荣

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.028

使用金相显微镜、推力分析仪测试等手段研究了镀碳工艺参数对碳膜的表面形貌、碳膜和石英结合力的影响.获得了一个优化的镀碳工艺参数,即在镀碳温度为950~1100℃,气体流量为4~7ml/h,镀碳时间为6h,冷却时间为12h的条件下得到的碳膜较为均匀,而且和石英结合的较好.使用该工艺条件镀膜的石英管生长出...

关键词: 镀碳 , 推力分析 , CdZnTe晶体