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  • 论文(1)

Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量

卫静婷 , 冯玉春 , 李炳乾 , 杨建文 , 刘文 , 王质武 , 施炜 , 杨清斗

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.013

通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响.根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5 Ω·c...

关键词: p型氮化镓 , 镍/金 , 比接触电阻率